Shotki baryeri asosidagi fotoelementlar Getero strukturali fotoelementlar

1.3 - rasm. Ko’p o‘tishli kaskad quyosh elementi.
Elektr aktiv yoki passiv (shisha, plastmassa, keramika, metall, grafit ѐki metallurgik kremniy kabi) taglikga o‘strilgan yoki tushirilgan polikristallik ѐki tartibga keltirilmagan plyonkalar, yupqa plyonkali quyosh elementlarida, aktiv yarim o‘tkazish qatlamlari bo‘ladi.
Yupqa plyonkali quyosh elementlarining asosiy ustivorligi narxining past bulishida, chunki ularni tayѐrdashda arzon texnologiya va nisbadan arzon materiallardan foydalinadi. Asosiy kamchiliklari esa, past FIK va xarakteristikalarning asta sekin tannazul bo‘lishi. Boshqa yupqa plyonkali elementning asosi CuInSe2/CdS geteroo‘tkazish bo‘ladi. Qisqa tutatish toki va FIK donalar ulchamlariga bog‘lik bo‘ladi. Donalar radiusi 0,3 dan 1mkm va undan katta bo‘lishida FIK 4 dan 6,6%gacha ortadi. Yupqa plyonkali quyosh elementlari uchun amorf kremniy(a –Si) material sifatida qo‘llaniladi. Metall

qatlami bilan qoplangan shisha taglikda 1-3 mkm qalinlikdagi qatlamlar, yuqori chastotali razryadda ustiriladi. Kristallik va amorf kremniylar jo‘da ham farqlanadi: birinchisi kengligi 1,1eV to‘g‘ri emas taqiqlangan zonaga ega, gidrogenizirlashgan a- Si da optik yutilishlar xarakteristikalari esa kengligi 1,6eV tug‘ri taqiqlangan zona kristall xarakteristikalariga o‘xshaydi. Gidrogenizirlashgan a-Si yupqa plyonkalarida ham Shottki to‘siqli ham p-no‘tkazishli quyosh elementlari yaratildi. Quyosh spektirining ko‘rinadigan qismida a-Si da yutilish koeffitsienti 104-105sm-1 tashkil topgani uchun, eritilgan yuzadan 1mkm dan oshmagan masofada, zaryad tashuvchilar ko‘pchiligi generatsiyalanadi. Diffuzion uzunlik 1mkm dan katta bo‘lmaydi, qorongilik solishtirma qarshilik 100Mom*sm tartibda bo‘ladi. Bundan, qalinligi 1mkm i qatlamli p-i-p asbobda ketma ket qarshilik 104Omsm ekanligini topamiz. Shuning uchun Shottki to‘siqli elementlarda (shaffofli metall qatlam) yaxshi natijalar nisbatan katta emas (FIK 6%) (1.4. – rasm).

Tartiblanmagan yupqa plyonkali, yuqori effektiv quyosh elementlardan tashkil topgan asboblarning chegaraviy imkoniyatini baholash, deffektlari juda ham yuqori zichlikkli, yarim o‘tkazgich plѐnkalari etarlicha yupqa, fundamental yutilish chegarasi yaqinida yutilish koeffitsienti yuqori va ularda xarakatchanlik qiymati talab qilinganga etadigan yarim o‘tkazgichlar kerakligi aniqlanadi.