Semiconductor diodes and applications

P-side 
of the diode is always the positive terminal and is 
termed as 
anode 
and the 
N-side 
is always the negative 
terminal and is termed as 
cathode
. 
•
A PN-junction diode can be destroyed when: 

High level of forward current overheats the device. 

Large reverse voltage causes the junction to breakdown. 

---

Types of Diodes: 
There are three types of diodes classified 
according to their forward current or reverse voltage 
carrying capacity. 

---

P-N Junction 
• P-N junction is formed when a single crystal of semiconductor is 
added with acceptor impurity one side and donor impurity on the 
other side as shown in figure. 
• Left side of the material is a P-type semiconductor having acceptor 
ions and positively charged holes. Right side is N-type having 
donor ions and free electrons. 
• Since n-type has high concentration of electrons and p-type has 
high concentration of holes, there exists concentration gradient 
across the junction. 
• Due to this, charge carriers move from high concentration area 
towards low concentration area to achieve uniform distribution of 
charge. 
• In p-type excess holes move towards n-side, similarly electrons 
from n-side move towards p-side, this process is called 
diffusion 
and diffusion of charge carries takes place on either side as shown 
in figure. 

---

•
When migrating electron diffuse into p-type and 
recombines with acceptor atoms on p-side, acceptor 
ion accepts this additional electron and becomes 
negatively charged immobile ion 
and hole disappears. 
•
When a hole diffuses into n-side they recombine with 
donor atom, this donor atom accepts additional hole 
and become