Samarqand davlat universiteti fizika fakulteti

1.1.3. 

Molekulyar nur epitaksiya usuli. 

Pardali materiallarni elektronika sohasida ishlatilishida eng asosiy oʻrinni 

epitaksial pardalar egallaydi. Bunday pardalar katta va oʻta katta integral sxemalar 

ishlab chiqarishda, umuman eng zamonaviy va eng noyob mikroelektron asboblar 

ishlab  chiqarishda  alohida  rol  oʻynaydi.  U  kelajak  elektronikasi,  ya’ni 

nanoelektronikaning ham asosini tashkil etishi tabiiy. 

Kristall panjarasining tuzilishi asosning kristall panjarasi tuzilishi bilan bir 

xil boʻlgan monokristal pardalar ion kapitaksial pardalar deyiladi. 

 

---

10 

 

 

1.1–rasm. Yuqori vakuum sharoitida oʻstirilgan oltin pardaning yoritilgan 

(chapda) va yoritilmagan (oʻngda) holatlardagi topografiyasi: a-24   ,b-108   ; 

v-30   

MNEda  hosil  boʻlayotgan  parda  berilgan  asosning  yuzasida  oʻsadi  va  bu 

yuza  bilan u  aralashib  ketmaydi. MNEda  kerakli  atomlar  asosning  yuzasiga  kelib 

oʻtiradi va yuzada qatlamma-qatlam oʻsib boraveradi. 

Kremniyning  yuzasiga  kobaltsilidsidi  (CoSi

2

)  pardasini  MNE  yoʻli  bilan 

hosil  qilish  jarayoni:  yuqori  vakuum  sharoitida  yuzasi  juda  yaxshi  tozalangan 

kremniy  monokristalining  sirtiga  kobalt  (Co)  va  kremniy  (Si)  manbalaridan 

ularning atomlari kelib oʻtira boshlaydi. Bunda har bir vaqt momentda bitta kobalt 

atomi  kelib  oʻtirganda,  ikkita  kremniy  atomi  oʻtirishi  kerak  boʻladi.  Taglik 

temperaturasi  shunday  tanlanadiki,  yuzaga  kelib  oʻtirayotgan  kobalt  va  kremniy 

atomlari  CoSi

2

  birikmasini  hosil  qiladi  va  natijada  ularning  birikishidan  hosil 

boʻlgan parda epitaksial oʻsa boshlaydi. 

 

 

---

11