Reja spintronikaning vujudga kelishi va ish prinsipi 2 Spintronika elementlarining amaliyotda qo‘llanilishi Kirish

Probe '
Pump '

-10 0 1Û
y tprn)

-10 0 1Û
y Un)

[001]

-20

10 ps

t = 240 ps

t" 840 ps

GaAs QW wilh w = P, - pj

-10 0 1Û
y (p m}

-10
E' A X

S₂ (artx unrts)
-1 _ ,5 0 0,5 1

Rasm 2: Elektronlar spinining ”vals”i

Magnit-tunnel tranzistor quyidagi qismlardan tashkil topgan bo‘ladi:

• 
  emitter(FM1): spin-polyarizatsiyalangan elektronlarni bazaga injek- siyalaydi
  
• 
  baza(FM2): Elektronlar spinlarining yo‘nalishiga qarab bazada joy- lashadi. Bazani spin-filtr deyish ham mumkin
  

• Kollektor(GaAs) - baza-kollektor chegarasida Shottki to‘sig‘i vujudga keladi. Natijada kollektorda faqatgina Shottki to‘sig‘ini yengib o‘tishga energiyasi yetarli bo‘lgan elektronlargina to‘planadi.
Ushbu tranzistorning magnit toki quyidagiga teng bo‘ladi:

	I _ ^—^Ic^,ap (2) ^1 c,ap
O‘tkazish koeffitsiyenti esa:	P _ IC (3)

(3) ifodadan ko‘rinib turibdiki, o‘tkazish koeffitsiyenti emitterdagi elek- tronlarning qancha qismi kollektorga yetib borganligi bilan aniqlanadi.