Режа: мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси мдя – транзисторида ясалган мантиқий элементлар Рақамли имс оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси

Рақамли ИМС оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари
К МДЯ – мантиқ изоляцияланган затворли ва индуцирланган каналли комплементар майдоний транзисторларни қўллаш орқали бажарилади. Инкор (“ЙЎҚ” функцияси) операцияси бир-бирига юклама бўла оладиган иккита электрон калит ёрдамида амалга оширилади. Бу схема 5-расмда келтирилган.
Схема тўғри ишлаши учун транзисторлар хар – хил типли ўтказиш каналига эга бўлиши керак. Агар манбанинг нисбат кучланиши расмда кўрсатилгандек уланса, V1 майдоний транзистор р – каналли, V2 майдоний транзистор n – каналли танланади. Тарназистор V1 затворга ноль кучланиш берилаганда очилади, чунки бу ҳолатда затворда истокка нисбатан манфий кучланиш пайдо бўлиб, n – подложкадан затвордаги сиртолди қатламига ўтказувчан канални ҳосил қилувчи коваклар йиғилади. Транзистор V2 затворга мусбат кучланиш берилганда очилади. Бу ҳолатда затвордаги сиртолди қатламга ўтказувчан канални ҳосил қилувчи электронлар йиғилади.
Схемани киришига мантиқий “1”, яъни Х нуқтага мусбат катта кучланиш берилса транзистор V1 беркилади, транзистор V2 эса очилади. Элементнинг Y чиқишида мантиқий “0” ҳосил бўлади. Агар схеманинг Х киришига мантиқий “0” берилса, транзистор V2 беркилади, транзистор V1 эса очилади. Элементнинг Y чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади.
Анча мураккаб мантиқий КМДЯ – элементлари одатда, юқорида кўрилган “ЙЎҚ” схемаси асосида тузилади. Қуйидаги 6-расмда “ВА-ЙЎҚ” элементининг электр схемаси келтирилган. Элементнинг ихтиёрий киришига ноль сигнал берилса, унинг чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади. Чунки бу ҳолда V1 ёки V2 транзисторлардан биттаси очиқ бўлади. V3 ёки V4 транзисторлардан биттаси берк бўлади. Иккала Х1 ва Х2 киришга ҳам мантиқий “0” сигнал берсак, Y чиқишда худди шундай мантиқий “1” ҳосил қиламиз. Агар биз иккала Х1 ва Х2 киришга ҳам мантиқий “1” га мос юқори сатхли кучланиш берсак, Y чиқишда паст сатхли кучланиш, яъни мантиқий “0” ҳосил қиламиз. Бу ҳолда V1 ва V2 транзисторлар беркилади, V3 ва V4 транзисторлар эса очилади. Ушбу “ВА-ЙЎҚ” мантиқ элементининг ҳақиқийлик жадвали 4-расмдаги жадвалнинг айнан ўзидир, яъни ТТМ – мантиқ элементининг ҳақиқийлик жадвали билан айнан бир хилдир.
КМДЯ - мантиқ элементининг асосий афзаллиги, унинг кам – кам энергия сарфланишидир. МДЯ – транзисторлар нольга яқин затвор токига эга, шунинг учун ҳам майдоний транзисторни бошқаришда кам қувват талаб этилади. Майдоний транзисторли тез ишловчи схемаларда қувватнинг асосий қисми майдоний транзистор киришидаги зарядлаш ва зарядсизлантиришга сарфланади холос. Шуни таъкидлаш жойизки, КМДЯ – элементли схемаларда энергия йўқотишга сабаб бўлувчи резисторлар бўлмайди. Майдоний транзисторларни тайёрлашда затвор ўлчамини кичрайтириб, затвор ва сток, затвор ва исток сиғимларини камайтириб, тез ишлайдиган КМДЯ – элементлар қуриш мумкин. Шунинг учун КМДЯ – мантиқ ҳозирги замонавий микропроцессорларни ва юқори даражада интеграллашган микросхемаларни қуришда кенг қўлланилмоқда.