Режа: Фоторезисторли оптоэлектрон ўзгартиргичларнихисоблаш

Фоторезисторлар партиясини тадқиқот қилиш учун қуйидаги ифода ҳосил қилинган
(3.3.9)
бу ерда m = 200 мс/лк , γ = 0.57

(3.3.8) ва (3.3.9) боғланишлар Е ва t_u нинг турли қийматларида оптимал юкламани аниқлаш имкониятини беради. 3.8,а-расмда Е нинг турли қийматларида логарифмик масштабда = f(t_u) боғлиқлиги кўрсатилган. 3.8.б-расмдаги график фоторезистор билан юкламанинг динамик мослашувини кўрсатиб, бу ерда у ўқи бўйлаб нисбати х ўқи бўйлаб эса Е нинг турли қийматлари учун импульс давомийлиги t_u кўрсатилган, бу ерда _{опт..имп.} – динамик мослашувда бўлган юклама чиқишидаги кучланиш; - статик режимда мослашувда бўлган сигнал, яъни

R_юк = .

3.8-расм. Нисбий юкламани импульс давомийлиги қийматига боғлиқлиги.

бўлганда, ФСА типидаги кам инерцион фоторезисторлар билан юклама ўртасидаги динамик келишувини кўриб чиқамиз.

ФСА фоторезисторлар тўлқин узунлигини инфрақизил соҳасида максимум сезгирликка эгадир, шунинг учун нур тарқатувчи манба сифатида арсенид-галий светодиоди олинган. Арсенид-галий светодиодларининг нур тарқатиш қуввати р–n ўтиш токи билан тўғри пропорционалдир, шунинг учун фоторезисторнинг ҳамма параметрлари светодиоднинг токига нисбатан олинади.
(3.3.4) тенгламадан келиб чиққан ҳолда k ва ларнинг светодиод токининг I_ё функцияси сифатида экспериментал тадқиқот қилинганда K = f(I_ё) боғлиқлиги қуйидаги ифода билан етарли даражада аниқлик билан аппроксимацияланади.
. (3.3.10)

бу ерда I_ёо =20 мА ва

(3.3.10) тенгламаси I_ё>20 мА бўлган тақдирда тўғри келади. _у билан светодиод токи ўртасидаги боғлиқлик агар М ва h экспериментал тадқиқотлар натижасида аниқланса, қуйидаги тенгламадан аниқланади:

(3.3.11)

Тадқиқот қилинган фоторезисторлар партияси ва танланган светодиод учун М = 41

мс, h = 0.42; I_ё >20 мА

3.9-расм. Нисбий юкламанинг импульс токига ва импульс давомийлигига боғлиқлиги.
3.10–расмда светодиоднинг турли токлари учун юкламанинг оптимал коэффициентлари билан t_u орасидаги боғланиш кўрилган. Графикдан кўриниб турибдики, а_опт катталиги унча катта бўлмаган оралиқда ўзгаради ва а_{опт.стат} га яқиндир. Бу юқори частотали фоторезисторларда k–нинг кичик қийматлари билан изоҳланади. Мумкин бўлган максимал чиқиш сигналининг импульс давомийлиги функцияси сифатидаги боғлиқлиги светодиод токининг ҳар хил қийматлари учун 3.9 – расмда кўрсатилган ва ўз навбатида светодиод – фоторезистор жуфтлигининг оптимал иш режимини аниқлашга ёрдам беради.

3.10-расм. Светодиоднинг турли токлари учун юкламанинг оптимал коэффициентлари билан t_u орасидаги боғланиш.

Ташқи ёруғлик ости фони фоторезистор фотоўтказувчанлигининг релаксацияси доимий вақти қийматини камайтиради, шунинг учун уни фоторезисторларнинг частота диапазонини кенгайтиришда қўлланилиши тавсия этилади. Лекин шуни таъкидлаб ўтиш керакки, ташқи ёруғлик ости фотоўтказувчанликнинг карралилигини k = g_ё /g_тёо камайтиради. Чунки импульс режимда чиқиш сигнали қиймати t_u, U_фр, k ва ларнинг функциясидир. Шунинг учун

(3.3.12)

функцияга ташқи ёруғлик ости нурини таъсирини тадқиқот қилиш зарур.

 ва k миқдорларнинг қиймати ҳар хил ёритилганлик қийматлари учун юқорида келтирилган усул билан аниқланади.
(3.3.3) формуласидан g_ё=kg_к келиб чиқади. (3.3.7) формуласидаги k қийматини назарга олиб қуйидагини ҳосил қиламиз:
(3.3.13)

бу формула фақат ташқи ёруғлик ости нури учун қачонки

(3.3.14)

бўлгандагина ўринлидир, яъни

(3.3.15)