Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Технология 3D интегральных схем[править]
Технология 3D integrated circuit (3D IC) укладывает микросхемы интегральных схем (IC) вертикально в один пакет микросхем 3D IC.^[25] Toshiba представила технологию 3D IC для флэш-памяти NAND в апреле 2007 года, когда они дебютировали с 16- гигабайтным eMMC-совместимым чипом флэш-памяти NAND (номер продукта THGAM0G7D8DBAI6, часто сокращенно THGAM на потребительских сайтах), который был изготовлен с восемью сложенными 2 -гигабайтными флэш-чипами NAND.^[46] В сентябре 2007 года компания Hynix Semiconductor (ныне SK Hynix) представила 24-слойную технологию 3D IC с чипом флэш-памяти объемом 16 ГБ, который был изготовлен из 24 сложенных флэш-чипов NAND с использованием процесса склеивания пластин.^[47] Toshiba также использовала восьмислойную 3D-микросхему для своего 32 -гигабайтного флэш-чипа THGBM в 2008 году.^[48] В 2010 году Toshiba использовала 16-слойную 3D-микросхему для своего 128 -гигабайтного флэш-чипа THGBM2, который был изготовлен с 16 сложенными 8 -гигабайтными чипами.[49] В 2010-х годах 3D-микросхемы получили широкое коммерческое применение для флэш-памяти NAND в ^{мобильных устройствах.}
По состоянию на август 2017 года доступны карты microSD емкостью до 400 ГБ (400 миллиардов байт).^[50][51] В том же году Samsung объединила 3D IC chip stacking со своими технологиями 3D V-NAND и TLC для производства своего 512 -гигабайтного чипа флэш-памяти KLUFG8R1EM с восемью 64-слойными чипами V-NAND.^[52] В 2019 году Samsung выпустила флэш-чип емкостью 1024 ГБ с восемью 96-слойными чипами V-NAND и технологией QLC.^[53][54]
Принципы работы[править]

Ячейка флэш-памяти
Флэш-память хранит информацию в массиве ячеек памяти, изготовленных из транзисторов с плавающим затвором. В одноуровневых ячейковых устройствах (SLC) каждая ячейка хранит только один бит информации. Многоуровневые сотовые устройства (MLC), включая трехуровневые сотовые устройства (TLC), могут хранить более одного бита на ячейку.
Плавающий затвор может быть проводящим (обычно поликремний в большинстве видов флэш-памяти) или непроводящим (как в флэш-памяти SONOS).^[55]