«расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером»



Download 367,06 Kb.
bet1/3
Sana24.02.2022
Hajmi367,06 Kb.
#193862
TuriСамостоятельная работа
  1   2   3
Bog'liq
Пр решения С работа № 1 посл



Ташкентский университет информационных технологий
имени Мухаммада ал-Хоразмий
Кафедра электроники и радиотехники


Самостоятельная работа №1
по дисциплине «Электроника и схемы 2»
Тема: «РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»

Выполнил: __ (Ф.И.О)_________


Группа: ______ (№ группы) ____
Проверил: Наркулов Х.Ю.
Ташкент-2021


Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером

Исходные данные:



Вариант

Тип транзистора

Ток покоя базы Iбп, мкА

Напряжение питания Ек, В

Коллекторное сопротивление Rк, Ом

Нижняя граничная частота усиления fН, Гц

ххххх

2N2369A

50

5

620

100

1. Расчёт параметров транзистора2N2369A

1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ.


Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.


Для этого собрали схему рис. 1 для измерения параметров транзистора.



Рис. 1. Снятие семейства входных характеристик транзистора

Полученные значения IБ и UБЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A.


Таблица 1.


Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.

UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

475

25

686

50

495

50

716

75

507

75

733

100

516

100

745

125

523

125

754

150

529

150

761

175

534

175

767

200

538

200

773

250

545

250

781

300

551

300

789

350

557

350

795

400

562

400

800

По соответствующим данным построим график Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора (Рис.2).



Рис.2. График Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора2N2369A


Снятие семейства выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.


Для этого соберем схему 2для измерения параметров транзистора.



Ib = const

Рис.3. Снятие семейства выходных характеристик транзистора

Полученные значения тока коллектора транзистора Iк и напряжения между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ при постоянном значении тока базы Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА сведем в таблицу 2. По ним построим семейство статических входных характеристик Iк = f(Uкэ) при Iб = const транзистора 2N2369A.


Таблица 2.


Семейство статических выходных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.



UКЭ

IКпри
IБ=25 мкА

IКпри
IБ=50мкА

IКпри
IБ=75 мкА

IКпри
IБ=100мкА

IКпри
IБ=125 мкА

IКпри
IБ=150мкА

0

-0,2609

-0,052726

-0,07986

-0,106091

-0,132894

-0,159651

0,5

2,307

5,440

8,310

10,91

13,296

15,496

1,0

2,313

5,456

8,335

10,943

13,337

15,545

2,0

2,327

5,489

8,385

11,009

13,418

15,639

3,0

2,341

5,522

8,436

11,084

13,499

15,733

4,0

2,362

5,554

8,487

11,152

13,58

15,827

5,0

2,379

5,588

8,540

11,218

13,662

15,922

6,0

2,394

5,618

8,588

11,284

13,743

16,017

7,0

2,407

5,654

8,637

11,35

13,824

16,112

8,0

2,421

5,687

8,693

11,418

13,906

16,207

9,0

2,434

5,720

8,741

11,484

13,985

16,3

10

2,450

5,752

8,789

11,552

14,067

16,396

15

2,517

5,919

9,043

11,884

14,472

16,868

20

2,590

6,086

9,307

12,218

14,882

17,344

По соответствующим данным построим график Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора (Рис.4).



Рис.4. ГрафикIк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора2N2369A
1.2 Определение h – параметров транзистора 2N2369A графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером.

О пределим параметр h11э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. По заданному току базы покоя Iбп=50 мкА, который определяет статический режим работы транзистора, на входной характеристике, соответствующей Uкэ=10 В, найдем рабочую точку "А", соответствующую этому току. Координаты точки "А": Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Выберем вблизи рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым найдем дифференциальное сопротивление по формуле:


Из рис.5 получим, что Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ. Тогда h11эопределится:




Рис.5.Графическое определение параметра h11э
Определим параметр h12э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. Для этого из рабочей точки "А" проведем горизонтальную линию до пересечения с характеристикой, снятой при Uкэ=0В. Приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора 2N2369A определим по формуле:

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В


Этому приращению ΔUкэ соответствует приращение напряжения между базой и эмиттером транзистора:


ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ



Рис.6.Графическое определение параметра h12э

Параметр h12э определим из формулы:





Определим параметр h21э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ) при Iб = const. Найдем рабочую точку "А" на выходных характеристиках транзистора как точку пересечения прямой нагрузки (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) с выходной ветвью ВАХ для Iбп = 50 мкА.


По оси токов Iк откладываем значение Ек/ Rк = 8,06 мА
По оси напряжения Uкэ откладываем Ек = 5В



Рис.7. Графическое определение параметра h21э

Получаем следующие координаты рабочей точки "А": Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Проведем из рабочей точки вертикальную прямую до пересечения с ветвями ВАХ при Iб1 = 25 мкА и Iб3 = 75 мкА. Рассчитаем приращение тока базы ΔIб, взятого вблизи заданного значения тока базы Iбп, по формуле:


ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА


Приращению ΔIб будет соответствовать приращение коллекторного тока, которое можно вычислить по формуле:


ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА –2,4 мА = 6 мА


Параметр h21э определим из формулы:





Определим параметр h22э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ)при Iб = 50 мкА. Для этого на ветви характеристики при Iбп = 50 мкА вблизи рабочей точки "А" выберем две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора:





Рис.8. Графический способ нахождения параметра h22э

ΔUкэ=Uкэ2 – Uкэ1=2,84В – 0,84В = 2 В


Uкэ вызывает приращение коллекторного тока:


ΔIк=Iк4 –Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА

Тогда параметр h22э будет равен:





1.3 Найдем входное и выходное сопротивление транзистора 2N2369A по формулам:






1.4 Определим коэффициент передачи по току транзистора 2N2369A β





2. Расчет параметров элементов усилительного каскада с ОЭ





Рис.9.Схема усилительного каскада с ОЭ



Download 367,06 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish