«расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером»

---

Министерство по развитию информационных технологий и коммуникаций
Республики Узбекистан 
Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммада 
ал-Хоразмий 
Самотоятельная работа №1 
по дисциплине «Электронные приборы» 
на тему: 
«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ 
ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ 
ЭМИТТЕРОМ» 
Выполнил студент гр_________ 
ХХХХХХХХ 
ТАШКЕНТ-2021 

---

Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения 
технических характеристик усилительных каскадов путем расчета 
усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по 
схеме с общим эмиттером 
Исходные данные: 
Вариант 
Тип 
транзистора 
Ток 
покоя 
базы I
бп
, 
мкА 
Напряжение 
питания Е
к
, 
В 
Коллекторное 
сопротивление 
R
к
, Ом 
Нижняя 
граничная 
частота 
усиления 
f
Н
, Гц 
ххххх 
2N2369A 
50 
5 
620 
100 

---

1. Расчёт параметров транзистора 2N2369A 
1.1 Построение семейства статических входных и выходных 
характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ. 
Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, 
соответствующих схеме с ОЭ I
б
= f(U
бэ
) при U
кэ
= 0 В и U
кэ
= 10 В. 
Для этого собрали схему рис. 1 для измерения параметров транзистора. 
Рис. 1. Снятие семейства входных характеристик транзистора 
Полученные значения I
Б 
и U
БЭ
сведем в таблицу 1. По ним построим 
семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A. 
Таблица 1. 
Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A 
соответствующих схеме с ОЭ I
б
= f(U
бэ
) при U
кэ
= 0 В и U
кэ
= 10 В. 
U
КЭ
=0В 
U
КЭ
=10В 
I
Б
, мкА 
U
БЭ
, мВ 
I
Б
, мкА 
U
БЭ
, мВ 
25 
475 
25 
686 
50 
495 
50 
716