Raqamli mikrosxemalar qo‘llanilgan qurilmalar mikrosxemalar. Integral mikrosxemalar qanday yasaladi va mikrosxemalar qanday materiallardan yasalgan?

QADAM 2. HIMOYA DIELEKTRIK PLYONKASINI (SIO2) QO'LLASH

Kremniy substrat hosil bo'lgandan so'ng, eng murakkab yarimo'tkazgich strukturasini yaratish bosqichi boshlanadi.

Buning uchun kremniyga donor va aktseptor deb nomlangan aralashmalar kiritilishi kerak. Biroq, savol tug'iladi - aniq berilgan namuna bo'yicha ifloslanishlarni kiritishni qanday amalga oshirish kerak? Bunga imkon berish uchun, iflosliklarni kiritish talab qilinmaydigan joylar maxsus kremniy dioksid plyonkasi bilan himoyalangan bo'lib, ular keyingi ishlov berishga ta'sir qiladigan joylarni qoldiradi (2-rasm). Kerakli naqshning bunday himoya plyonkasini shakllantirish jarayoni bir necha bosqichlardan iborat.

Birinchi bosqichda butun silikon gofret butunlay silikon dioksid (SiO2) plyonkasi bilan qoplanadi, bu juda yaxshi izolyator bo'lib, kremniy kristalini keyinchalik qayta ishlash jarayonida himoya plyonka vazifasini bajaradi. Plitalar yuqori haroratda (900 dan 1100 ° C gacha) va bosim ostida kislorod gofretning sirt qatlamlariga tarqalib, kremniyning oksidlanishiga va kremniy dioksidning sirt plyonkasini hosil bo'lishiga olib keladigan kameraga joylashtiriladi. Kremniy dioksid plyonkasi aniq belgilangan qalinlikda bo'lishi va nuqsonlarni o'z ichiga olmasligi uchun oksidlanish jarayonida gofretning barcha nuqtalarida doimiy haroratni saqlash kerak. Agar butun gofret kremniy dioksid plyonka bilan qoplanmagan bo'lsa, unda Si3N4 niqobi avval kiruvchi oksidlanishni oldini olish uchun kremniy substratiga surtiladi.