Radioelektronika asoslari

Bipolyar tranzistorning statistik xarakteristikalari. Bipolyar tranzistorlar xarakteristika va parametrlarining temperaturaga bog’liqligi
Elbers-Moll tenglamalari bipolyar tranzistorlar statik rejimda tahlil qilish va statik xarakteristikalarni topish uchun qo’llaniladi. Chunki, bu tenglamalar transistor p-n o’tishlaridagi har qanday kuchlanishlarda uning asosiy xususiyatlarini to’liq aks ettiriladi. Ammo, shuni ham aytib o’tish kerak-ki, modelda I_OE va I_OK toklar p-n o’tishlarning o’zida zaryad tashuvchilarning generatsiyalanish va rekombinatsiyalanishini ham Erli effektini e’tiborga olmaydi. Shu sababdan umumiy baza (UB), umumiy emitter (UE) va umumiy kollektor (UK) ulangan sxemalarda bipolyar tranzistorning real xarakteristikalarini ko’rib chiqamiz. Bipolyar tranzistor kirish xarakteristikalari. Kirish xarakteristikasi deb chiqish kuchlanishning berilgan va o’zgarmas qiymatlarida, kirish tokening kirish kuchlanishiga bog’liqligini ko’rsatuvchi grafikka aytiladi.
Umumiy baza sxema. Umumiy baza ulangan sxemada kirish toki bo’lib emitter toki I_E, kirish kuchlanishi bo’lib emitter-baza kuchlanishi U_EB, chiqish kuchlanishi bo’lib esa kollektor-baza kuchlanishi U_KB xizmat qiladi. Shuning uchun umumiy baza ulangan sxemaning kirish xarakteristikalari kollektor o’tishdagi kuchlanish U_KB ning belgilangan qiymatlarida =f( ) bog’lanish orqali ifodalanadi.
Bipolyar tranzistorda emitter va kollektor o’tishlarning o’zaro ta’siri o’tishlarga quyilgan kuchlanish qutblariga bog’liq. Masalan, aktiv rejimda kollektor o’tish toki baza- emitter kuchlanishi bilan aniqlanadigan emitter o’tish tokiga bog’liq. Kollektor o’tish kuchlanishining emitter o’tish tokiga ta’siri nisbatan sustroq bo’ladi. To’yinish rejimida ikkala o’tish bazaga zaryad tashuvchilarni injeksiyalaydi va kollektor o’tishning emitter o’tish tokiga ta’siri kuchli bo’ladi. Agar emitter toki I_Eda kovaklar toki elektronlar tokiga nisbatan foizning ulushlarini tashkil etish e’tiborga olinsa, simmetrik tuzilmali umumiy baza ulangan bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikalar oilasi quyidagi tenglams bilan ifodalash mumkin:

U_KB=0 bo’lganda xarakteristika tenglamasi:

Ko’rinishiga ega bo’lgan diod VAXiga o’xshaydi. Shunga qaramasdan, diod ga, tranzistorda esa ekanligini e’tiborga olish lozim. Aktiv rejimda ni e’tiborga olmasa ham bo’ladi, unda

Ko’rinib turibdiki, UB ulangan sxemada kirish xarakteristikasi ordinatorlar o’qida I0kesma kesuvchi eksponenta orqali ifodalanadi. Kollektor o’tishga berilgan teskari kuchlanish qiymati ortgan sari Erli effekti hisobiga baza kengligi kamayadi, I₀ esa- ortadi, chunki I₀ baza kengligi L_B ga teskari proporsional bog’langan. Shu sababli, U_KB ortishi bilan kirish xarakteristikalari chapga va yuqoriga siljiydi [11].