30
Lazer diodlar yorg‘lik diodiga qaraganda tashqi injeksiya tokini katta qiymatlarida
ishlaydi. Tashqi injeksiya toki I
u
oshib,
chegaraviy I
ч
qiymatga yetgach,
generatsiya, qachonki tuzilishdagi yuqotishlar kuchayishlarga teng bulganda yoki
lazer effekti yuzaga keladi, ya’ni induksiyalangan (majburiy) nurlanish hosil
bo‘ladi. Bu nurlanish yuqori kogerent bo‘lgani uchun,
lazer diodlarni nurlanish
spektri kengligi yorug‘lik diodga nisbatan tor. Lazer diodlarni nurlanish spektri
1-2 nm, yorug‘lik diodni nurlanish spektri esa 30-50 nm. Nurlanish quvvatini
tashqi injeksiya tokiga bog‘liqligini lazer diodlarni vatt-amper xarakteristikasidan
ko‘rish mumkin. 2.7-b. rasmda lazer diodlar va yorug‘lik diodlarni vatt-amper
xarakteristikalari ko‘rsatilgan. Kichik tok qiymatlarida
lazer diodlarda kuchsiz
spontan nurlanish yuzaga keladi, u samarasiz yorug‘lik diodi sifatida ishlaydi.
Yuqorida aytib o‘tilgandek, tok qiymati chegaraviy tok I
ч
qiymatidan oshganda
nurlanish
quvvati Р
нур
keskin oshib, kogerent majburiy nurlanish hosil bo‘ladi.
Lazer diodlarning nurlanish quvvati 1-100 mVtni tashkil etadi[11].
2.7.b. rasm.
Rasmdan ko‘rinib turibdiki vatt – amper tavsifi nochiziqdir. Shu sababli, vatt
– amper tavsifini chiziqlashtirishning maxsus choralarini qo‘llamasdan, lazerning
injeksiya tokini analog signal bilan o‘zgartirish yo‘li bilan chiqish nurlanishini
modulyatsiyalash amaliy qo‘llanilmaydi.
I
ч
Р
нур
, мW
1
2
I,
мА
31
Odatda injeksiya tokini va mos ravishda lazerning chiqish optik quvvatini
modulyatsiyalashda qo‘llaniladi. Shuni alohida aytish kerakki, lazer chegaralangan
pik quvvatli nurlanish manbai hisoblanadi. Bu nakachka tokining katta
qiymatlarida quvvatni kamayib borishi bilan bog‘liq. Lazer diodlarga xos yana bir
muhim xususiyatni aytib o‘tamiz: atrof muhit temperaturasi o‘zgarsa, vatt – amper
xarakteristikasi suriladi (2.8 – rasm).
2.8 rasm Lazer diodning vatt-amper xarakteristikasining
temperaturaga
bog‘liq ravishda o’zgarishi.
Bu chegaraviy tok va chiqish quvvati qiymatlarining o‘zgarishiga olib keladi.
Bu kamchilikni bartaraf etish uchun kompensatsiyalashning elektr sxemalari,
shuningdek mikrosovutgichning ishini boshqaruvchi, termokompensatsiyalash
sxemalaridan foydalaniladi.
2.9 – rasmda lazer diodlar optik nurlanishining yo‘nalganlik
diagrammasi
ko‘rsatilgan. Rasmdan ko‘rinib turibdiki, lazer nurlanishining diagrammasi
nosimmetrik. quvvatning yarim sathida o‘lchanganda uning kengligi o‘tishga
parallel yuzada 200 dan kichik va perpendikulyar yuzada 400 dan katta (2.9.a–
rasm). 2.9,b–rasmda o‘zaro perpendikulyar yo‘nalishlarda nurlanish quvvatining
burchakka bog‘liqligi ko‘rsatilgan.
100 200
300
400
0
0
C
I,мА
P,мВт
20
15
10
5
0
20
0
C
35
0
C
I
ч
I
ч
I
ч
32
2.9-rasm. Optik nurning lazer dioddagi yo’nalganlik diagrammasi: a) parallel
va perpendikulyar
yuzalardagi nurlanish kengligi; b) o’zaro perpendikulyar
yo’nalishlarda nurlanish quvvatining burchakka bog‘liqligi.
Yo‘nalganlik
diagrammasi
ellepis
konus
ko‘rinishiga
ega.
Generatsiyalanadigan nurlanishning yetarli katta yoyilganligi, uni kichik sonli
aperaturali optik tolaga samarali kiritishga to‘sqinlik qiladi. Buning uchun maxsus
moslashtiruvchi qurilmalarni qo‘llash talab etiladi.
Magistral tolali optik aloqa liniyalarida asosan signallar 1,3 va 1,55 mkm
to‘lqin uzunliklarida uzatiladi. 1,55 mkm to‘lqin uzunligida so‘nish qiymatlari
kichik bo‘lgani uchun retranslyatsiyasiz (L=100km)
uzun uchastkalarda ana shu
to‘lqin uzunlikdagi optik uzatish manbalaridan foydalanish samaralidir. Magistral
aloqa liniyalari kabellari bir modali tolalardan iborat bo‘lgani uchun ham lazer
diodlardan foydalanish kerak. Chunki yorug‘lik diodga qaraganda lazer
diodlarning nurlanishini yo‘nalganlik diagrammasi tor. Bu nurlanishni tolaga
kiritishni osonlashtiradi[19].
Do'stlaringiz bilan baham: