«применение современных информационно коммуникационных технологий в проведении реформ в новом узбекистане»

«Yangi O‘zbekistonda islohotlarni amalga oshirishda zamonaviy axborot-kommunikatsiya 
texnologiyalaridan foydalanish» mavzusida Xalqaro ilmiy-amaliy konferentsiya 
Andijon 
 
27-29 oktabr 2021 yil 
61 
СИНТЕЗ И СВОЙСТВА МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК 
ZNO. 
Академик АН РУз С.З.Зайнабидинов А.Й.Бобоев, Х.А.Махмудов. 
Аннотация:
В статье представлен способ получения металлооксидных 
тонких пленок ZnO по технологии центрифугирования с применением 
легкодоступного оборудования. Данные пленка наносились на стеклянные 
подложки. Приведены данные о приготовлении раствора, вид прекурсора и 
тип растворителя. Полученные пленка металлоксидов ZnO имели n-тип 
проводимости, удельное сопротивления пленок 1,19 Ом·см. 
Ключевые слова:
режим нанесения, металлооксидных пленок, станнат 
цинка, диэтиламин. 
Annotation:
The article presents a method for producing thin metal oxide 
ZnO films by centrifugation technology using readily available equipment. These 
films were applied to glass substrates. The data on the preparation of the solution, 
the type of precursor and the type of solvent are given. The obtained ZnO metal 
oxide film had n-type conductivity, the resistivity of the films was 1.19 Ohm cm. 
Key words: application mode, metal oxide films, zinc stannate, diethylamine. 
Введение 
Прозрачные проводящие оксиды приобретают все более важную роль в 
оптоэлектронных устройствах, таких как солнечные элементы. В 
оптоэлектронике оксид цинка рассматривается как чувствительный материал 
газовых датчиков. Выбором режимов синтеза и термообработки, возможно 
получить пленки оксида цинка как для вольтаики (низкоомные), так и для 
газовой сенсорики (высокоомные). ZnO является полупроводником n-типа, и 
его проводимость можно управлять термической обработкой или 
легированием[1]. 
Золь-гел метод представляет собой недорогой, не требующей вакуума, 
способ синтеза материалов в форме порошков и пленок. В случае пленок они 
обычно наносятся на широкую площадь подложек, который может быть легко 
адаптирован процессов промышленного производства [2]. В ряде источников 
описано технология производство этим методом полупроводников, металлов 
и прозрачных проводящих оксидов. В частности, прозрачные проводящие 
оксиды в связи с их умеренной электропроводностью имеют актуальность для 
применения их в фотоэлектрических преобразователях [3], были предприняты 
значительные усилия для улучшения их оптической прозрачности в видимой 
части спектра и электропроводимости. Это имело место в случае оксидов 
индия и олова (IТО), оксида индия и цинка(IZO), оксида фторированного 
олова (FTO) и многих других [3]. Диэлектрические характеристики многих 
оксидов могут быть использованы как покрытия с высокой диэлектрической 
проницаемостью и затворов, которые также могут найти применение в 
производстве электронных устройств [4].

---