Практикум по курсу «материалы и компоненты радиоэлектроники» для высших учебных заведений по специальностям

1.4. Описание лабораторной установки и экспериментальных образцов 
Измерение сопротивлений твёрдых диэлектрических 
материалов производится по схеме, представленной на рис. 1.2. 
Рисунок 1.2 - Схема измерения 

v
 и 

s
 
На схеме обозначено: 
ИП - источник питания ( УИП-2 ); 
Т
1
- тумблер подключения схемы к источнику питания; 
П
1
- переключатель полярности напряжения питания; 
П
2
- переключатель электродов для измерения 

v
, 

s 
образца; 
КУ - контактирующее устройство для подключения образца к источнику 
питания; 
V – вольтметр на лицевой панели УИП-2; 
А – микроамперметр – цифровой измерительный прибор В7-27А; 
ВЭ (НЭ) - верхний (нижний) электрод образца; 
ОК - охранное кольцо; 

s
, 

v
- положение переключателя П
2
для измерения 

s
и 

v
. 
Особенностью измерения сопротивлений при определении 

s
 и 

v
 является 
использование трёхэлектродной схемы в отличие от обычной двухэлектродной 
схемы измерения активного сопротивления
. Это связано с тем, что в процессе 

---

9 
измерения необходимо исключить влияние на результат измерения либо 
поверхностных токов, когда измеряется 

v
, либо объёмных токов при 
измерении 

s
. Для этого при измерении 

v
заземляется охранное кольцо - 
третий электрод (рис 1.3 б). В результате поверхностные токи между охранным 
кольцом и верхним электродом уходят в землю и не влияют на величину 
измеряемого тока через объём между верхним и нижним электродами. 
При измерении 

s
заземляется нижний электрод (рис 1.3 в) и объёмные 
токи не влияют на результат измерения тока, текущего по поверхности, между 
охранным кольцом и верхним электродом. 
На рис.1.3 представлены конструкция образца и схемы подключения 
электродов при измерении

s,
 

v.