Практикум по курсу «материалы и компоненты радиоэлектроники» для высших учебных заведений по специальностям

 
 
 
 
 
 

---

26 
Таблица измерений 
12.
По результатам измерений рассчитать: 
а) ёмкость образца
C
x 
= 
C
2 
- 
C
1
;

(13) 
б) диэлектрическую проницаемость 


по ёмкости плоского конденсатора 

 
C
x
 
= 

0
S / d
, (14) 

 

 = C
x
d / 

0
S
, (15) 
где 
S 
- площадь электродов [м] , 
d
 
- толщина диэлектрика или расстояние между электродами [м];
в) тангенс угла диэлектрических потерь 









2
1
1
2
1
2
2
Q
Q
C
C
Q
Q
C
tg

(16) 
13.
По внешнему виду, типоразмеру и марке конденсатора (образца) 
определить диэлектрический материал, используемый в образце и по 
справочнику сравнить значение рассчитанной ε с ее значением для 
материала диэлектрика образца. Значения ε должны быть близкими в 
пределах точности измерений. 
14.
Построить и проанализировать зависимость
 

и 
tg

от частоты, 
определив наличие или отсутствие поляризационных процессов, отстающих 
от изменения внешнего поля. Сделать выводы по работе. 
 
 
2.6. Контрольные вопросы 
 
1. Какие вещества называются диэлектриками? 
2. Что такое поляризация? 
3. Перечислить основные виды поляризации. 
№п/п 
f, Гц 
С, пФ 
Q
1
С
2
, пФ 
Q
2
С
х
, пФ 
ε 
tg

1 
. 
. 
2 
. 
. 

---

27 
4. Что называется относительной диэлектрической проницаемостью? 
5. Как практически определяется 

? 
6. Объяснить частотную зависимость 

. 
7. Объяснить, почему в эксперименте 

 
не зависит от частоты? 
8. Что такое потери в диэлектриках? 
9. Причины возникновения потерь в диэлектриках, помещённых в
постоянное и переменное электрические поля. 
10. Что такое угол и тангенс угла диэлектрических потерь? 
11. Объяснить зависимость 
tg

от частоты.