Physica status solidi

Рис. 1. Зайнабидинов С.З. Профиль распределения молекул ZnSe Ge₂ и GaAs_1-δBi_δ в эпитаксиальном слоев (ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y, d=0 соответствует границе подложки и пленки.



Рис. 2. Зайнабидинов С.З. Рентгенограмма подложки GaAs


Рис.3. Зайнабидинов С.З. Рентгенограмма эпитаксиальной пленки (GaAs_1–δBi_δ)_1–x–y(Ge₂)_x(ZnSe)_y



Рис. 4. Зайнабидинов С.З. Форма дифракционного отражения (400) подложки и эпитаксиальной пленки (ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y.