С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

а. 
Ситмнинг изотермик релаксацияси усули
Бу усул билан ЧСМ параметрларини улчашнинг фи­
зик асосини кескин 
р +-п
утиш ёки металл-я тип яримут- 
казгич структурали (шоттки барьери) мисолида курайлик. 
Бу тахлил тескари типдаги диод базаси учун хам ухшаш
273

---

булади. Аникдик киритиш учун кескин 
Р*-п
утишли диод 
и-типдаги яримутказгич намуна асосида олинган. Яримут- 
казгичда концентрацияси 
Ncl)
булган саёз сат^ли донор 
билан бир к,аторда, энергиявий сатх,и 
Ег,
концентрация­
си 
NrD
булган чукур сатхли донор булиб, у так,икданган 
зона ярмининг юкрри ^исмида жойлашган ва 
е > > ер
тенг- 
сизлик, диоднинг электр нейтраллик со\аси (ЭНС)да 
Ef- E
>4 кТ тенгсизлик бажарилади. Диодга V тескари куч­
ланиш улангандан сунг стационар холатда заряд ташув­
чилар билан камбагаллашган (соха) кдглам (ХЗС нинг 
кенглиги) чегараси 
hc
нуктага мос келиб, у кескинлаша- 
ди. 
Ферми сатхи чукур сатхи
и Wc
нук,тада кесади. Стаци­
онар холатда чукур донорлар 
0<Х< Wc
сохада ферми сат- 
Хидан 
юкррида булгани учун улар тула ионлашган холат- 
да 
булади. Бу сохддаги ионлашган марказ концентрацияси
" u = * CD+ N rD
(5.31)
булади. 
W < x < h c
сохада чукур са т\ тулатилган, шунинг 
учун бу сохдда ионлашган марказ концентрацияси ион­
лашган саёз донор концентрацияси билан аникданади:
N = N
cd
(5.32)
ва 
Х = Wc
текисликда киришмалар концентрацияси кес­
кин (сакраб) узгаради. Энди структурага тескари кучла­
ниш уланган (О-» -
V)
да юзага келган ностационар жараён- 
да чукур сатх тулдирилганл и гини, барьер сигимининг вак,т 
буйича узгаришини, яъни улар кинетикасини курайлик. 
Структурага тескари кучланиш куйилгандан сунг