А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
 
берилган. Бундай кўринишга ўтиш соҳасидаги кремний атомларининг 
бузилган валент боғланишлари яъни, электронлари узулиб бўш қолган 
ҳолатлар мусбат зарядлар манбаи бўлиб хизмат қилади. Бундай марказларни 
кремний кристалида ва SiO
2
қатламида мавжуд бўлган металл атомлари 
билан ўзаро таъсирлашуви уларни қайта тақсимланишига олиб келади. 
Айрим атомлар SiO
2
қатлам ҳажмига кириб 
қолиб, ундаги электр нейтралликни бузади, 
бошқалари 
кремний 
кристали 
ичига 
диффузияланади. 
Бундай 
тақсимотни 
белгиловчи 
омил 
бўлиб 
сегрегация 
коэффиценти (η) хизмат қилади, яъни 
атомларнинг Si ва SiO
2 
даги диффузия 
коэффицентлари нисбати η= 
2
DsoO
Dsi
.
14.
3 –расм
Агар η 

1 бўлса SiO
2 
қатлам аралашма атомни итарувчи бўлади ва Si 
ни чегарага яқин қисмида бундай атомлар сони кўпроқ бўлади,
η >1 бўлса –
аксинча. Бундай жараёнлар туфайли ўтиш соғасида мусбат ва манфий 
зарядланган металл ионлари , Si – 0 бирикмаларининг бузилган алоқалари 
каби таркибий бузилишлар вужудга келади.

---

118 
Яна SiO
2 
боғланиш аниқ бир шаклга эга эмаслиги, Si-O боғланиш 
узунлиги 1,56 Å – дан 1,66 Å- гача О-О боғланишлари 2,5Å дан 2,7 Å гача
ўзгариб туришини эътиборга олсак ўтиш соҳасини аниқ шаклини тасаввур 
қилиш қийинлиги маълум бўлади. 
Булардан ташқари SiO
2
қатлам ҳажмида қуйидаги турдаги нуқсонлар 
ҳам бор. 
≡ Si – уч валентли Si – донор. 
≡ Si- O боғланмаган О – амфотер марказ 
V
0
≡ Si……O кислород ваканцияси –иккиланма донор 
V 
Si 
≡ кремний атоми ваканцияси – донор 
О
I 
– тугунлараро кислород – донор 
Si
I
– тугунлараро кремний атоми – 
иккиланма донор 
O
2
, V
o
, Si – H, Si:OH, M-O ва ,бошқа 
комплекслар. 
Кремнийда эса V, V-Р, О
I 
, Si
I 
, О
s 
, М, 
М –О, О-О каби нуқсонлар мавжуддир. 
Бундай нуқсонларнинг мавжудлиги ва 
ташқи таъсирлар туфайли уларнинг ўзаро 
таъсирлашувлари 
диэлектрик 
– 
яримўтказгич чегарасидаги сиртий 14.
4 -расм
ҳолатларга ҳам таъсир этади. Мана шандай
физикавий – кимёвий жараёнлар натижасида мусбат ва манфий зарядли 
марказлар пайдо бўлади.
≡ Si- O боғланмали комплекслари эркин электронларни ушлаб олиб, 
бўш ўрин - коваклар ҳосил қилади
≡ Si- O 

Si- O +h
+
бу эса оксид қатламида манфий зарядлар, чегара соҳасида эса мусбат зарядлар ҳосил 
бўлишига олиб келади. Si- SiO
2
тузилмалари нурлантирилганда чегаравий соҳада
≡ Si- OН + Rad

≡ Si+ OH
+
оксид қатламда эса
≡ Si + Rad (h
+
)

≡ Si+ e
- 
≡ O
I
+ Rad(h
+
)

O
I
+ 
реакциялар туфайли гидроксил, кислород, кремний ионлари, эркин 
электронлар каби зарядлар ҳосил бўлади ва улар сиртий ҳолатлар табиатини 
белгилайди. Агар МДЯ тузилмаси ташқи электр майдонга киритилса Si- SiO
2
чегарасида яримўтказгич томонида электронлар тўпланиши (бойитилиши), 
ёки камайиши кузатилади. 
МДЯ ни металл контактига мусбат кучланиш қўйилса, бунда n - типдаги Si
соҳасидаги энергетик диаграммани кўриниши қуйидагича бўлади 
(15.4а, - расм).
Кучланишни қутблари ўзгартирилса яъни металл контактга манфий

---

119 
кучланиш 
қўйилса 
– 
электронларни камайиши кузатилади 
(14.5,б-расм) ва кучланиш яна ҳам 
катталашуви 
иккала 
ҳолда 
ҳам 
ўтказувчанликни 
инверсияга 
олиб 
келиши мумкин. 
Электронларни 
кўпайишидан 
камайишига ўтиш чегарасида яъни 
инверсия чегарасидаги ташқи кучланиш 
катталиги «текис соҳа» кучланиши
14.
5-расм
дейилади. 
Si- SiO
2
чегарасидаги сиртий ҳолатларни тадқиқот қилишни асосий 
усулларидан 
бири 
МДЯ 
типидаги 
тузилмаларни
вольт-фарада яъни С – V характеристикаларини ўрганишдир. Бу усул МДЯ 
тузилмаларининг С – V характеристакаларини ўлчаб, уларни назарий 
хисобланган характеристикалари билан солиштиришдан иборат. Бундай 
ўлчовлар асосида чегаравий соҳадаги сиртий ҳолатларнинг 10 
-10 
см 
–2
эв
-1
гача 
бўлган миқдорларни аниқлаш мумкин.