Yarimo ʻ tkazgichli kvant nuqtalar

Kvant nuqtasining kashf etilish tarixi
Kvant nuqtalarini hosil qilish

---

aniqlikka egaligidir. Molekulyar-nurli epitaksiya qurilmalarida qo‘llaniladigan vakuum 
mm.sim.ust. tashkil etadi. Qattiq jismli elektron qurilmalar sohasidagi muvaffaqiyat va rivojlanishlar 
tipli birikmalar bilan bog‘liq. Ushbu tipdagi yarimo‘tkazgich birikmalar, o‘ta yuqori chastotali
elektron qurilmalar yasashda juda samarali hisoblanadi. Uchinchi guruh elementi sifatida, odatda, Ga, Al
yoki In, beshinchi guruh elementi sifatida esa As, P yoki In olinadi. Bu birikmalar orasida birinchi bo‘lib 
, 
, 
, 
lar sintez qilingan. Ular asosida esa O‘YuCh-tranzistorlar va
yarimo‘tkazgichli lazerlar yaratilgan. 
va 
qatlamlarini ketma-ket o‘stirish orqali
amalda bir xil parametrga ega bo‘lgan kristall panjara hosil qilish mumkin, ushbu struktura faqat ikki
o‘lchamli elektronlardan iborat bo‘ladi. Ushbu o‘stirilayotgan yarimo‘tkazgich kristali piramida shakliga
ega bo‘lib, defektlar deyarli mavjud emas.
Ushbu piramidaning uch qismi o‘zini kvant nuqtalari kabi tutadi. Misol sifatida 
(panjara paramteri 
) kristallarining GaAs (
) qoplamada o‘stirilishini aytish mumkin.
Ushbu jarayon kvant nuqtalarining o‘sish jarayonida o‘zini-o‘zi shakllantirishi degan nom olgan. Piramida
uchlarida yassi qatlamning emas, balki orolchalarning hosil bo‘lishi sistemaning minimum energiyaga ega
bo‘lishga intilishi bilan izohlanadi. Kristall panjara parametrlarining mos kelmasligi tufayli elastik
deformatsiyalar hosil bo‘ladi.
Agar kristallni o‘stirish jarayonida sirt yassi bo‘lganicha qolaversa, elastik deformatsiya energiyasi ortadi,
sirt energiyasi esa o‘zgarmaydi. Ma
ʼ
lum bir qalinlikka yetganda esa, bu holat energetik jihatdan imkonsiz
bo‘lib qoladi. Shu sababli, sistema minimal energiyaga ega bo‘lishga harakat qiladi va piramidasimon shakl
hosil bo‘ladi.
Kristallarni o`stirish
Kristallar
Yarimo`tkazgichli lazerlar
Reed M. A., Randall J. N., Aggarwal R. J., Matyi R. J., Moore T. M., Wetsel A. E.
Observation
of discrete electronic states in a zero-dimensional semiconductor nanostructure // Phys Rev
Lett: journal. — 1988. Vol. 60, no. 6. -P. 535?537. — doi:10.1103/PhysRevLett.60.535. —
Bibcode: 1988PhRvL..60..535R. — PMID 10038575. (1988).
Zhao, Yixin; Dyck, Jeffrey S.; Burda, Clemens (2011).
„Toward high-performance
nanostructured thermoelectric materials: the progress of bottom-up solution chemistry
approaches“. Journal of Materials Chemistry.
Achermann, M.; Petruska, M. A.; Smith, D. L.; Koleske, D. D.; Klimov, V. I. (2004).
„Energy-
transfer pumping of semiconductor nanocrystals using an epitaxial quantum well“. Nature.
429 (6992): 642?646.
Delerue, C. & Lannoo, M.
(2004). Nanostructures: Theory and Modelling. Springer. p. 47.
ISBN 978-3-540-20694-1.
Green, Mark; Howman, Emily (2005)
. „Semiconductor quantum dots and free radical
induced DNA nicking“. Chemical Communications (1): 121?3. doi:10.1039/b413175d. PMID
15614393.
Ashoori, R. C. (1996).
„Electrons in artificial atoms“. Nature. 379 (6564): 413?419.
Shuningdek qarang
Adabiyotlar

---

"https://uz.wikipedia.org/w/index.php?title=Yarimo
ʻ
tkazgichli_kvant_nuqtalar&oldid=2296473" 
dan olindi 
Bu sahifa oxirgi marta 30-Sentabr 2021, 13:23 da tahrir qilingan.
Matn Creative Commons Attribution-ShareAlike litsenziyasi bo
ʻ
yicha ommalashtirilmoqda, alohida holatlarda
qo
ʻ
shimcha shartlar amal qilishi mumkin (batafsil).