Tranzistorlar


Qotishmali diffusion tramzistorlar



Download 1,15 Mb.
Pdf ko'rish
bet7/10
Sana11.05.2022
Hajmi1,15 Mb.
#601950
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
Bog'liq
15 - Raqam 4 - Topshiriq

Qotishmali diffusion tramzistorlar.
Bu xildagi tramzistorlar qotishmali 
texnologiyani diffusion qo‟shgan holda olib boradi. Bunda indiy-surma bilan 
yarimo‟tkazgich plastina sirtiga joylashtirib qizdiriladi. Bunda bo‟lakni suyultirish 
natijasida electron o‟tish hosil bo‟ladi. Biroq yuqori tranzistorlariga bir vaqtni 
o‟zida erish jarayonidan tashqari diffuzia ham ketadi. Ya‟ni elektrondan diffuzis 
kristall biri- 
akseptor
ikkinchisi esa 
donor
kirishma vazifasini boshqaradi. Ular 
kristall qolipligi bo‟yicha har xil chuqurlikka diffuziolanadi va notekis 
taqsimlangan p-turdagi baza hosil bo‟ladi. Kollektor sifatida p-turdagi germaniy 
plastinka xizmat qiladi. (2-rasm
.



 
2-rasm. Qotishmali diffusion transistor 
Baza soxasi orqali asosiy bo‟lmagan zaryadlarni ko‟chishi, asosan elektr
maydon dreyfi bilan amalga oshirilgani uchun, bunday tremzistorlarni 
dreyf
trenzistorlar
deyiladi. Dreyf tranzistorlarni baza kamligi 0.5-1m km bo‟lganligi 
uchun ularni chegara chastota 500-10.000m 9 ga yetadi. Bu tranzistorlarda 
kamchilik emitterda ta‟siri kuchlanishni kichikligi va katta quvvatli tranzistorlarni 
ishlab chiqarishni qiyinligidir.
Diffuzion planar tranzistorlar. 
Bu ko‟rinishdagi tranzistorlarni tayyorlash 
kremniy oksidini olib, unda ochilgan parada tirqishlar orqali kirishma 
atomlarining diffuziya usulida foydalaniladi. Texnologik amallar ketma-ketligi
3-rasmda ko‟rsatilgan.


3-rasm. Diffuzion planar tranzistorning olininshi 
Planar tranzistorni tayyorlash uchun n-turdagi kremniy olinib nihoyasida 
kollektor vazifasini o‟taydigan plastinka oldin suv bug‟i yoki kislorod muhitiga 
joylashtirilib sirtida zich parda Si O

hosil qiladi. 3-rasm a) Fotolitografiya 
usulida parda tirqish, 3-rasm, b) hosil qilinib u orqali akseptor bor diffuziya 
qilinadi. 3-rasm v) Bunda plastinkaga p-tur baza qatlami hosil bo‟ladi. Shu 
jarayon vaqtni o‟zida oksidlanish yuz beradi.Hosil bo‟lgan oksid pardadan yana 
tirqish 3-rasm, g)ochilib u orqali pardadan donor-fosfor kamroq chuqurlikka 
diffuziya qilinadi. Natijada “n” Qturdagi emitter qatlam hosil bo‟ladi.3-rasm,d) 
Keyin yana hosil bo‟lgan Si O

qatlam hosil bo‟ladi va yediriladi.3-rasm, e) 
Kontaktlar purkaladi va termobosim usulida chiqqichlar ulanadi.3-rasm, j) nihoyat, 
diffusion –planar transistor tuzilmasining umumiy ko‟rinishi 4-rasmda 
ko‟rsatilgan.



Download 1,15 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish