Республикаси олий ва

5.7-расм. n-p-n транзисторнинг умумий эмиттер схемаси бўйича уланиши 
Базага тушган электронларнинг бир қисмгина база коваклари билан реком-
бинацияланади, чунки бу ерда база катта нисбий қаршиликка эга бўлган юпќа p-
типидаги ярим ўтказгичдан тайёрланганлиги сабабли коваклар концентрацияси 
кичик. Электронларнинг кўп қисми эса иссиқлик ҳаракати (диффузия) ва кол-
лектор майдони таъсирида (дрейф) коллектор токининг асосий I
к
ташкил этиб, 
коллекторга етиб боради. Эмиттер ва коллектор орасидаги токлар орттирмаси-
нинг боғлиқлиги ток ўтказиш коэффициентини характерлайди. 
.
const
кб
U
э
I
k
I
const
кб
U
э
I
к
I















(5.2) 
Ток ўтказиш коэффициенти доим 1 дан кичик бўлади. Замонавий бипо-
ляр транзисторларда
э
k
k
I
I
I



0
(5.3) 

---

- 47 - 
Кўриб чиқилган схема база, эмиттер ва коллектор занжирлари учун умумий 
ҳисобланади. Бундай схемада биполяр транзистор уланишини умумий базали 
схемаси дейилади. Бунда эмиттер занжири кириш, коллектор занжири эса 
чиқиш занжири дейилади.Юқоридаги уланиш схемаси жуда кам қўлланилади. 
Кўпроқ эса кириш ва чиқиш занжирига умумий электрод бўлиб, эмиттер ҳисоб-
ланган схема, яъни умумий эмиттернинг схемаси қўлланилади.
5.8 - расм. Биполяр транзисторнинг ВАТси 
Бундай схема учун кириш контури база эмиттери орқали ўтади ва унда 
база токи пайдо бўлади. 
0
)
1
(
k
Э
k
э
Б
I
I
I
I
I







k
э
I
I

(5.4)