Naotexnologiyaga kirish

 

2.2.1. Litografiya 

 

 

Hozirgi    vaqtda    litografiya    elektronikada    nanostrukturalar    olishning    asosiy  

uskunalaridan    biri    hisoblanadi  (2.9-rasm).      “Litografiya”    nomi    yunoncha    ‘’lotos’’-

tosh    va    “grafo”  –yozaman    so’zlaridan  

kelib    chiqqan    bo’lib,    so’zma-so’z  

“toshda 

 

yozaman” 

 

deyilganidir.  

Litografiya    qattiq    jismlarning    sirtlarida 

nanostrukturalar    olishga    imkon    beradi.

 

 

 2.9-rasm.Litografiya yordamida olingan 

struktura 

 

 

Litografiya  eng  sodda    holda    bir  

necha  bosqichlardan  iborat. 

 

Birinchi    bosqichda    qattiq    jism  

sirtiga  fotorezist  qatlami   surtiladi. 

 

Fotorezist- 

yorug’likka    sezgir  

modda    bo’lib,  nyrlanish    ta’siri    ostida  

surtilgan    sirtning    strukturasini  o’zgartiradi.    So’ngra    sirtga    fotoshablon    syrtiladi.  

Fotoshablon    qattiq    jismning    sirtida    “o’ymakorlik”  qilish    uchun  trafaret    bo’lib,  sirt 

qismlarini  nurlash uchun shaffof  va  noshaffof  maskadan  iborat. 

 

Litografiyaning  keyingi bosqichi  

eksponirlash 

 deb ataladi. Ustiga  fotorezist  va 

uning 

 

tepasidan 

fotoshablon    qo’yilgan    qattiq    jismning    sirti                                                     

nurlanishning    optik    manbaai    (lampa    yoki  lazer)  bilan    yoritiladi.    Natijada 

fotoshablonning  nurlanish    uchun  shaffof  qsmlariqismlari    ostidagi    fotorezistning 

ta’sridan    sirtning    strukturasi    o’garadi.  Fotorezist    o’zgartirgan    srtning    biror  qismi 

fotorezist  bilan  birgalikda  

o’yish

 jarayoni  yordamida  yoqotilishi  mumkin.  Ximiyaviy  

o’yish    maxsus    ximiyaviy  moddalar  (o’yuvchilar)

 

da    yoritilgan  fotorezist  ta’sirida 

o’zining  strukturasini  o’zgartirgan    sitrni    eritishga      asoslangan.

   

Shunday    qilib 

“o’ymakorlik”  bilan  qattiq    jismning    sirtida    etarlicha    murakkab    strukturalarni  olish  

mumkin. 

 

Litografiya  elektronli    texnikani    boshqaruvchi    qurilmalar  –  mikrosxemalarni  

yaratishda    asosiy    bosqichlardan    hisoblanadi.    Mikrosxemalarning    o’lchamlarini  

kichraytirish    litografiyada  shakllantiriladigan    “rasmlar”ning    o’lchamlarini  

kichraytirilishi  bilan  erisilishi  mumkin. 

 

Fotoshablon  orqali  fotorezistni  yoritish  uchun  foydalaniladigan optik  nurlanish  

manbaaining    xarakterisksi    bo’lib  nurlanishning    to’lqin    uzunligi    hisoblanadi. 

Difraktsiya    hodisasi    tufayli    litografiya    yordamida  qirqib    olinadigan    detalning  

---

25 

 

o’lchami    to’lqin    uzunlikdan  kichik  bo’la    olmaydi.  Agar    biz  litografiyada    to’qin  

uzunligi    1    mkm    bo’lgan    nurlanish      manbaaidan    foydalansak,    biz    chiza  oladigan  

detalning  eng  kichik  o’lchami ham 1  mkm bo’ladi.  Llitografiya  yordamida  nanometer   

o’lchamli  ob’ekt  chizish  uchun  to’lqin  uzunligi  bir  necha  o’n   nanometrlar  bo’lgan  

uzoq  ul’trabinafsha nurlanish  manbaalaridan  foydalanish   kerak.