Узбекистан академия наук республики узбекистан

Рис.1. Картина, показывающая размеры и упорядочение кластеров примесных 
атомов никеля, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа 
EVO-MA10. 
После диффузии никеля образцы подвергались низкотемпературному отжигу, после 
этого они полировались для визуального исследования состояния и исследования 
структуры примесных атомов Ni в решетке с помощью сканирующего электронного 
микроскопа EVO-MA10. Как показали исследования, при строгом соблюдении технологии 
легирования и отжига: времени легирования, скорости охлаждения образцов и температуры 
отжига, результаты эксперимента на 100% воспроизводимы [2]. 
Установлено, что можно формировать кластеры с диаметром от нескольких 
нанометров до нескольких микрометров, с концентрацией в интервале N

10
16

10
9
см
-3
. 
Рис.2. Состав кластеров примесных атомов никеля с фильтре разных светы 
полученный с помощью сканирующего электронного микроскопа EVO-MA10. 
На рис. 1 и 2 приведены картины, показывающие размеры, состав и упорядочение 
кластеров примесных атомов никеля. Установлено, что оптимальное время формирования 
кластеров в основном определяется коэффициентом диффузии примесных атомов при 
данной температуре. Эти результаты позволяют определить оптимальные условия 
формирования кластеров примесных атомов с заданными параметрами [3].
Как показали результаты исследований, такое упорядочение кластеров примесных 
атомов происходит по всему объему кристалла. Установлено, что с повышением 
температуры дополнительного отжига, упорядочение кластеров разрушается и опять они 
распределяются равномерно. Авторы посвящают эту статью памяти академика М.К. 
Бахадирханова. 
Список литературы. 
1. М.К. Бахадирханов, Х.М. Илиев, С.Б. Исамов. Основные проблемы современной 
фотоэнергетики. Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике 
сборник докладов международной научной конференции 9-10 Октября, 2020 год. 
2. Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Saitov E.B and other// Formation of 
Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters Nanoscience 
and Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 2. PP. 29-32. 
3. Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Iliyev H. M., Saitov E.B and other// 
Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for Photovoltaic// Nanoscience and 
Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 3. PP. 36-39. 

---

365