Узбекистан академия наук республики узбекистан

 
Рис. 1.Общий вид вакуумно-магнетронной установки с открытой крышкой. 
 
Метод и технология. 
Существует данные об изучении толщины, шероховатости и 
рельеф пленок [5-6] которые в значительной степени позволяет определять механизм 
проводимости, и как следствие этого, удельного сопротивления.
Ещё одним преимуществом использования магнетронной установки для настоящей 
цели, является прежде всего, его высокая скорость распыления материала мишени [7], 
управляемость процесса и хорошая адгезия пленки к поверхности подложки. 
Вакуумно-магнетронная установка, предназначенная для синтеза аморфных пленок, 
работает на постоянном токе. В целом принцип работы устройства очень похожа на 
принцип работы существующих производственных плазматронов [8].
В данном случае распыление материала происходит за счет бомбардировки 
поверхности мишени ионами рабочего газа (аргона), образующимися в плазме тлеющего 
разряда [9-10]. 
Для осуществления технологической части, предварительно выбирались 
необходимые электрические параметры установки. Это ток разряда, время напыления, 
диапазон напряжений, а также соответствующие геометрические размеры требуемой 
технологии: расстояние между мишенью и подложкой. Последняя была равна 30 мм. 
Значение тока 110мА, время напыления 20 мин. Напряжение поддерживалась в пределах 
300-500В. Для получения пленок использовалась несбалансированная магнетронная 
распылительная система аксиального типа [11] с квазизамкнутым объемом. Рабочим газом 
являлся аргон. Такой выбор рабочего газа объясняется дешевизной материала, большой 
атомной массой. Исходный материал (рис.2), упакованный в герметизированную фольгу, 
после снятия последнего подвергался промывке в спиртном растворе этанола СН
3
СН
2
ОН. 
Затем полупроводник из кремния подвергался резке. Операция резки пластины кремния, 
осуществлялся стеклорезом, не допуская образования дефектов по всей площади образца. 
Подготовленный образец имел следующие геометрические размеры: d= 9,7±0,3см и 
толщиной 420±10μм. После подготовительной работы образца к напылению, был 
осуществлен процесс напыления в вакуумно-магнетронной установке. При завершении 
процесса напыления оставляется на остывание образца до температуры ~25
0
С.