Узбекистан академия наук республики узбекистан

Температуры наиболее интенсивного комплексообразования и значения энергии 
Гиббса соответствующих соединений. 
№ 
Бинарные 
комплексы 
T
эфф
˚С 
0
298
G

кДж/мол 
k
1 
MnO 
1300 
-363.3 
-0.279 
2 
MnS 
1100 
-220 
-0.2 
3 
MnSe 
820 
-163 
-0.2 
4 
MnTe 
650 
-128 
-0.2 
Рис.1. Зависимость температуры комплексообразования от энергии Гиббса. 
k
T
T
T
T
effMnTe
effMnSe
effMnS
effMnO
















MnTe
G
MnSe
G
MnS
G
MnO
G
0
298
0
298
0
298
0
298
(1)
Остаются постоянными, где k=-(2÷3) 10
-1
кДж/мол град
 
можно
 
характеризовать
 
как 
коэффициент комплексообразования.
 

---

209 
Цель данной работы - показать влияние взаимодействия элементов VI группы с 
марганцем на электрические параметры кремния. 
В качестве исходного материала был использован монокристаллический кремний 
p-
типа с 
ρ
=5 Ом
∙
см (
N
B
=5·10
15
cm
-3
) с концентрацией кислорода (
N
О2
=7·10
17
cм
-3
). Образцы 
вырезались в виде параллелепипедов размерами 8×4×0,4 mm
-3
,
после чего подвергались 
шлифовке микропорошками М-14 в условиях, обеспечивающих получение толщины и 
плоскопараллельности образцов с точностью ±10 мкм. Травление нарушенного слоя 
образцов производилось в растворе HF:HNO
3 
(1:3). Для диффузии использовалась 
горизонтальная трубчатая печь типа СУОЛ-0,4. Температура диффузионного отжига 
измерялась с помощью термопары платина-платинородий. Диффузия всех примесей 
проводилась из газовой фазы (остаточное давление воздуха в кварцевой ампуле не более 
10
-4
мм рт. ст.). 
Для проведения исследований была изготовлена партия образцов кремния
 p-
типа с 
ρ=5 Ом
∙
см, легированного бором. Проводилась диффузия кислорода, серы, селена и 
теллура при температуре 1250 °С в течение 10 часов. [3]. 
Таблица 2