Законы сохранения в механике статика и гидродинамика механические колебания и волны основы термодинамики

Тема 44.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ (ДИОДЫ, 
ТРАНЗИСТОРЫ) И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
ИХ В ТЕХНИКЕ
Рис. 9.8.
дырки
электроны
запирающий слой
n 
p
Рассмотрим полупроводник, состоящий 
из кристаллов 
n
-типа с одной стороны и 
кристаллов 
р
-типа с другой (рис. 9.8). В 
средней части полупроводника свободные 
электроны быстро заполняют свободные дырки. 
В результате в середине полупроводника 
образуется область, в которой отсутствуют 
носители заряда. Свойства этой области будут 
похожи на свойства диэлектрика.
Эта область в дальнейшем будет препятствовать прохождению 
электронов в 
р
-область, а дырок в 
n
-область. По этой причине его 
называют 
запирающим слоем.

---

162
Данный полупроводник соединим с источником тока. Сначала 
р
-область полупроводника соединим с отрицательным полюсом источника, 
n
-область – с положительным полюсом источника (рис. 9.9).
В этом случае электроны притягиваются к положительному полюсу 
источника, а дырки – к отрицательному полюсу. В результате запирающий 
слой расширяется. Через полупроводник почти не проходит ток. Такое 
состояние называется 
обратным 
р­n
 переходом.
Теперь 
р
-область полупроводника соединим с положительным 
полюсом источника, а 
n
-область соединим с отрицательным полю-
сом источника. Здесь электроны отталкиваются от 
n
-области и 
притягиваются к 
р
-области.
n p
I
n p
I
Рис. 9.9.
Рис. 9.10.
В свою очередь дырки отталкиваются от 
р
-области и притягиваются 
к 
n
-области. В результате сужается запирающий слой и через него 
проходят носители заряда (рис. 9.10). Через полупроводник проходит ток. 
Такое состояние называется