А. Теш абоев, С. Зайнобидцинов, Ш. Эрматов

Ен = —
т
' 4 2
,е 
z
(11.28)
Бундан 
т * — кристалдаги электроннинг эффектив масса­
си, т о эркин электрон массаси. У ^олда
е 
т 0
(11.29)
Кремний учун £-11 
э В ,
— {1
т 0
ва As учун £,• -10-И5 
эВ
эканлиги­
ни хнсобга олсак, 
нинг эВ улуш- 
ларига тенг булган кичик крйматга 
эгалигини аниклаймиз. Демак, 
кри­
11.13- чизма. Акцептор кириш­
ма узига электронни олади.
256

---

сталл панжарадаги маргумуш атомининг бешинчи валент 
электроники узиб олиш учун жуда кичик энергия кифоя экан. 
Дарх.ак.ик.ат, маргумиш такикпанган зонада утказувчанлик зо- 
насига якин булган донор сат\ 
E j хосил килади (11.13- чизма). 
Нормал 
шароитдаги 
температурада 
бу 
сатхдаги 
электрон 
утказувчанлик зонасига утиб кетган булади. Натижада киришмали 
кремний кристаллида утказувчан электронлар сони купайиб кетади. 
Бундай ярим утказгичлар 
п — тур ярим утказгич деб аталади. п — 
турдаги ярим утказгичларда утказувчан электронлар сони соф ярим 
утказгичникидан куп булади.
Энди Бор (В ) атомлари киритилган кремний кристаллини 
куриб чикамиз. Бор атоми уч валентли булиб кремний атомла­
ри билан ковалент 
6
of
 
хосил
 
«длит учун бир электрон етиш- 
майди. Бу электронни Бор атоми кушни кремний атомидан 
торгиб олиши мумкин. Бунинг учун 
Еа энергия керак булади. 
Юцоридаги муло\азаларни кайтариб 
Еа учун хам 
(11.28) га 
ухшаш ифода \осил 
килишимиз мумкин.