А. Теш абоев, С. Зайнобидцинов, Ш. Эрматов

щ, ковакларни- 
кини 
ро деб белгиласак, хусусий утказувчанлик учун
п0=р0=щ.
(
11
.
2
)
Бундан л,- — хусусий ярим утказгичдаги заряд ташувчилар 
зичлиги (intrinsic — хусусий).
Маълум бир температурадаги заряд ташувчилар микдори 
такикпанган зона кенглигига боглик булади. 
— канча кичик 
булса, утказувчанлик электронлари сони шунча куп булади.
Ge учун £о=0.67 эВ, Si учун £^1.14 эВ ни ташкил килади. 
Шунинг учун, масалан, хона температурасида (7 ^ = 3 0 0 °Ge 
кристаллдаги утказувчанлик электронлари зичлиги Si никидан 
тахминан 103 марта катта.
Ярим утказгичларнинг такикпанган зона кенглигини оптик 
усулда анйклаш мумкин. Бунинг учун ярим утказгичларда ёруглик 
нури ютилиш коэффицентини тулкин узунлигига богликушги 
урганилади. Фотон энергияси 
tm < E g булганда у деярли ютил-
247

---

11.3- чизма. Ярим $тказгичда 
ёруглик ютилишига дойр.
майди, чунки унинг энергияси 
валент зонадаги электронларни 
утказувчанлик зонасига кутариш 
учун етмайди. ho) > E g булганда
фотонларнинг ютилиши бошла- 
нади (11.3- чизма).
Кристаллда электрон ковак 
жуфти Х.ОСИЛ булади. Элек­
тронларнинг Утказувчанлик зонасига бундай ^гиш бевосита 
(яъни 
тУфи) 
Утиш 
деб 
номланади. 
Баъзи 
ярим 
утказгичларнинг (масалан Ge, Si) зоналар тузилиши мураккаб 
булади. Уларнинг Утказувчанлик зонасидаги электронлар учун 
энг кичик энергия (iW n)ra тугри келувчи тулкин вектор к^, 
валент зонадаги ковакларнинг энг катта энергиясига мос ке­