Axborotni saqlash va uzatishning zamonaviy texnologiyalari

Flesh-xotiraga 

axborotni 

yozish 

jarayoni 

Flesh-xotira 

axborotni 

yacheyka  (cell)  deb  ataluvchi 

“qulfi  suzuvchi”  tranzistorlar 

massivida 

saqlaydi. 

An’anaviy  qurilmalarda  bir 

xil sathli har bir yacheyka bir 

bit  axborotni  saqlay  oladi. 

Bunday  qurilmalar  inglizcha 

single-level  cell,  SLC  deb 

yuritiladi. Ba’zi bir yaratilgan 

yangi  qurilmalarda  har  bir 

yacheykaga  bir  bitdan  ko‘p 

bo‘lgan axborotni saqlay olish 

imkoniyatiga ega (1-rasm). 

Arxitekturasi 

ILI 

NE 

(NOR) 

elementiga 

asoslangan 

flesh 

xotira 

qurilmalari 

Bunday 

flesh-xotira 

turlarining  asosida  ILI  NE 

(NOR)  tranzistor  elementlari 

yotadi. 

Tranzistorda 

boshqaruvchi  va  “suzuvchi 

qulf”  lar  mavjud  bo‘ladi. 

Suzuvchi 

qulf 

to‘liq 

himoyalangan 

hamda 

elektronlarni 

10 

yil 

muddatgacha 

saqlash 

imkoniyatiga 

ega. 

Yacheykalarning  kirish  va 

chiqish 

yo‘llari 

mavjud. 

Dasturiy  yozish  jarayonida 

kuchlanish 

boshqaruvchi 

qulfda elektr maydonini hosil 

qiladi  va  unda  tunnel  effekti 

vujudga  keladi.  Ba’zi  elektronlar  himoya  qatlami  orasidan  tunnelga  o‘tadi  va 

suzuvchan  qulfda  to‘plangan  holda  saqlanadi.  Tranzistorning  suzuvchi  qulfdagi 

---

elektr  zaryadlari  chiqish  va  kirish  yo‘llarini  kengaytiradi  va  uning 

o‘tkazuvchanligini oshiradi, bu hodisa axborotni o‘qish uchun qo‘l keladi. 

Dasturiy yo‘l bilan axborotni o‘qish qurilmaning energiya sarfi jihatidan juda katta 

farq qiladigan jarayon. Flesh-xotira qurilmalariga axborot yozish jarayoni nisbatan 

katta  energiya  sarf  qiluvchi  jarayon  hisoblanadi,  axborotni  o‘qish  jarayoni  esa 

nisbatan kam energiya sarf qiluvchi jarayondir. 

Flesh-xotira qurilmalaridagi axborotni o‘chirish uchun boshqaruvchi qulfga manfiy 

yuqori  kuchlanish  beriladi  va  elektronlar  suzuvchi  qulfdan  chiqish  yo‘liga  oqib 

o‘tadi (tunnellashadi). ILI NE (NOR) arxitekturali flesh xotira qurilmalarida har bir 

tranzistorga  alohida  kontakt  keltirishni  talab  qilinishi  tufayli  u  qurilmaning  fizik 

hajmini  kattalashtirib  yuboradi.  Bu  muammo  I-NE  (NAND)  arxitekturali  flesh-

xotira qurilmalarida o‘z yechimini topgan.