Ҳозирги замон муаммоларидан бири жуда катта миқдордаги қуёш радиация энергиясидан максимал фойдаланиш масаласидир

11 -rasm a) GaAs epitaksial qatlamida elektron-kovak diffuzion uzunliklarining asosiy zaryad tashuvchilar kontsentratsiyasiga bog’lanislii. 1-germaniy bilan legirlangan п-GaAs ucliun, 2-qalay bilan legirlangan n- GaAs ucliun.

bo’ladi. Bunda




koeffitsient:

Qalinligi diffuzion uzunlikdan katta w>L_n epitaksial qatlamlar uchun (4.198) ning birinchi hadi ustunlik qiladi. SHuning uchun J_KT ning W ga chiziqli bog’lanish grafigidan L ni hisoblash mumkin. Agar namuna qalinligi diffuzion uzunlik tartibida yoki undan kichik w_n bo’lsa, qisqa tutashuv fototoki S/D_n va \/Z_n larga bog’liq bo’ladi. Bu holda tajribadan aniqlangan hamda nazariy hisoblangan jq.tfw) bog’lanishlarining bir-biriga mos tushish shartidan koeffitsient k-ni va u orqali S/D_n aniqlanadi. D_n ning qiymatini r-tip materiallarda elektron harakatchanligi orqali bog’lanishi mumkin. Bu-ning uchun r-tipdagi elektron harakatchanligi, shunday kontsentratsiyadagi zaryad tashuvchilarga ega bo’lgan n-tipdagi elektron harakatchanligiga teng deb qaraladi. Endi r-p o’tishda va SHottki to’sig’ida hajmiy zaryad sohasining kengligi diffuzion uzunligi L_n tartibida bo’lgan yarim- o’tkazgichlar uchun L_n ni aniqlashni ko’raylik. YUqori Omli namunalarda olingan r+-p, yoki p⁺-r o’tishlar yoki SHottki to’siqlaridir. Bu strukturalarning fotoeffekt nazariyasiga ko’ra qisqa tutashuv fototoki bo’ladi. Bu ifodani qo’llab, L_n ni tajribadan aniqlash asosida qisqa tutashuv fototokining hajmiy zaryad sohasi kengligiga bog’liqligi yotadi. Ma’lumki, potentsial to’siqli strukturalarda hajmiy zaryad sohasining kengligi unga qo’yilgan kuchlanishga bog’liq. r-p o’tishni hajmiy zaryad soha kengligining kuchlanish bilan o’zgarishi o’z navbatida potentsial to’siq sig’imining o’zgarishiga olib keladi. Bundan r-p o’tish va SHottki to’siqlari qisqa tutashuv fototoklarining hajmiy zaryad sohasi qalinligan.