O’zbekistonda inson manfatlari xamma narsadan ustun. Inson huquq va manfaatlarini ta’minlash, xalqimiz uchun munosib turmush sharoitini yaratib berishdan iborat

Tadqiqotning maqsadi. GaAs- Al_xGa_1-xAs getero’tishlar sistemasi asosida yorug’likka juda sezgir yangi konstruksiyali vertikal fotoqarshilklar va vertikal maydon fototranzistorlarini yaratish texnologyualarini, ular uchun zarur bo’lgan yarmo’tkazgichli materiallar Ga, GaAs larni hosil qilishidan to ularni fizik xossalari va yaratilgan vertikal fotoqarshilk hamda vertikal maydon fototranzistorlarning elektrik va fotoelektrik xossalarini o’rganish va tadqiq etish.
Maqsadga erishish uchun quyidqgi tadqiqot vazifalari qo’yilgan:
Yarimo’tkazgichli material birikmalarini yarailishi, ularni bugungi jahon bozoridagi holati, yarim o’kazgichli materiallarni o’stirish usuli bilan tanishish hamda geterostrukturalar asosidagi geteroo’tishlar energetik diagrammasining fizik xususiyatlarini, epitaksial qatlamlarni o’stirish texnologiyalarini, shuningdek n⁺ GaAs - n⁰ GaAs- fototranzistorlar elektrik va fotoelektrik hossalarini o’rganish.
Tadqiqotnig ob’ekti. bo’lib yarim o’tkazgichli birikmalar Yuqori haroratli iqlim sharoitida ishlashga mo’ljallangan mini quyosh fotoelektrik qurilmasining maketini ishlab chiqish
Tadqiqotning predmeti. Galliy-arsenid tuzilmalar asosidagi vertikal fotoqarshilik hamda vertikal maydon tranzistorlarni elektrik, chastotaviy, fotoelektrik xossalari va jarayonlaridir
Tadqiqotning ilmiy yangiligi. quyidgilardan iborat: GaAs materiallari xaqida ilk bor to’la ma’lumot keltirilgan. Elektrik va fotoelektrik xossalari xaqida o’rganilgan ma’lumotlar berilgan.
Tadqiqotning amaliy natijasi quydagilardan iborat: Yarimo’tkazgichli materiallar Ga (galley) va uning birikmasi GaAs (Arsenid galley) haqida yetarli darajada ma’lumot to’plangan.
Yuqori haroratli iqlim sharoitida ishlashga mo’ljallangan mini quyosh fotoelektrik qurilmasining maketini ishlab chiqish