O’zbekistonda inson manfatlari xamma narsadan ustun. Inson huquq va manfaatlarini ta’minlash, xalqimiz uchun munosib turmush sharoitini yaratib berishdan iborat

Dissertasiya mavzusining dolzarbligi ba zarurati. Xozirgi kunda jahоnda tez suratlar bilan rivojlnayotgan mikro va optolektronika yo’nalishida muhim fizik texnologik muammolardan biri funksional xarakteristikalari yaxshilangan geteroo’tishlar asosidagi sistemalarida yorug’likka o’ta sezgir vertikal fotoqarshiliklar va vertikal maydon fototranzistorlar ishlab chiqarish hisoblanadi. Arsenidgaliyli fotosezgir tuzilmalar aktiv sohasining elektrofizik parametrlari bilan ularni ekspluatasion parametrlari o’zaro bog’liqligini tadqiq qilish vertikal fotosezgir tuzilmalarning oldin ma’lum bo’lmagan imkoniyatlarini ochib beruvchi yangi texnik yechimlar olish imkonini beradi. Vertikal fotoqarshilik va vertikal maydon tranzistorlarninig kanal sohasini mukammallashtirish energiya tejamkorligi muammolarini echish tuzilmalari asosida vertikal fotoqarshilik hamda vertikal maydon fototranzistorlarni ishlab chiqish fotosezgir tuzilmalar tayorlash texnologiyasi bo’yicha olib borilayotgan tadqiqotlar ustuvor yo’nalishlardan hisoblanadi.
Yorug’likni o’ta qisqa impulslarini generatsiya qilish metodini ishlab chiqarilishi samarali fotodetektorlar va pikosekundli rejimlarda ishlaydigan optoelektron komytatorlar yaratish uchun turtki bo’ldi. Hozirgi kunda ma’lum bo’lgan asosiy parametrlarni yaxshilash uchun yangi turdagi fotoqaydqilgichlarni yaratish uchun geterotuzilmalardan foydalanilmoqda. 0,8-0,9 mkmli spektral diapazon uchun tizimidagi geterostrukturalardan shuningdek, 1,0-1.6 mkmli diapazonlar uchun esa InP-InGaAsP dan foydalaniladi. Har-bir turdagi fotodetektorlar uchun keng sohali qism nurlarni kiritish uchun “oyna” bo’lib xizmat qiladi. Oyna effektini muvozanatsiz zaryad tashuvchlarning generatsiya sohasi va ularni bo’linish sohalarini birgalikda bo’lish imkonini beradi. O’ta qisqa lazer impulslari texnikasini takomillashuvi va o’ta tezkor elektronikaning jadal rivojlanishi yuqori samarador fotoqaydqilgichlar va pikosekundli tezkor optoelektron komutatorlarni ishlab chiqarishi talab qilmoqda.
Yuqori samaradorlikka, tezkor ishlaydigan fotoqaydqilgich yarim o’tkazgichli asboblar jumlasiga kiruvchi fotoqarshilik va maydon fototranzistorlarni optik tolali aloqa tizimlarida tadbiq qilishni talab qiladi.
Zamonaviy yuqori chastotali yarimo’tkazgichlar elektronikasi uchun asboblarning faol sohalarini o’lchamlari submikron o’lchamlargacha kichraytirish xarakterlidir. Buning natijasida kichik iste’mol quvvati evaziga zaryad tashuvchilarning yuqori tezliklariga erishish mumkin. Agar faol sohaning o’lchamlari elektronlarning erkin chopish yo’llariga nisbatan teng bo’lsa, ballistik yoki kvaziballistik rejim bo’ladi. Bunda zaryad tashuvchilarni ko’chish tezligi dreyf tezligi chegarasidan sezilarli katta bo’ladi.
Ammo fotodetektorlarni ishlab chiqish chog’ida yorug’likni kiritishda va samarali yutilishi bilan bog’liq bo’lgan geometrik o’lchamlar cheklanishi mavjuddir. Ayniqsa bu tamoil hozirgi kunda eng tezkor ishlaydigan ichki kuchaytiruvchi fotodetektorlar – fotoo’tkazgichlar (FO’), maydon fototranzistorlaridir, ularni ustida olib boriladigan tadqiqotlar dolzarb hisoblanadi.