O’zbekiston respublikasi

3.2. Bipolyar tranzistorlarni statik xarakteristikalari va  fizik parametrlari 
 
Tranzistor  statik  xarakteristikalari  kollektor  zanjiriga  yuklama  qo‗yilmagan 
holda    o‗rnatilgan  kirish  va  chiqish  toklari  va  kuchlanishlar  orasidagi  o‗zaro 
bog‗liqlikni  ifodalaydi.  Har  bir    ulanish  uchun  statik  xarakteristikalar  oilasi 
ma‘lumotnomalarda  keltiriladi.  Eng  asosiylari  bo‗lib  tranzistorning  kirish  va 
chiqish  xarakteristikalari  hisoblanadi.  Qolgan  xarakteristikalar  kirish  va  chiqish 
xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. 
UB  sxemasi  uchun  kirish  statik  xarakteristikasi  bo‗lib  U
KB 
=  const 
bo‗lgandagi  I
E
=  f  (U
EB
)    bog‗liqlik,  UE  sxemasi  uchun  esa  U
KE
  =  const 
bo‗lgandagi  I
B
=f(U
BE
)  bog‗liqlik  hisoblanadi.  Kirish  xarakteris-tikalarining 
umumiy  xarakteri  odatda  to‗g‗ri  yo‗nalishda  ulangan  p-n  bilan  aniqlanadi.  Shu 
sababli  tashqi  ko‗rinishiga  ko‗ra  kirish  xarakteristiklari  eksponensial  xarakterga 
ega (25- rasm). 
Rasmlardan  ko‗rinib  turibdiki,  chiqish  kuchlanishining  o‗zgarishi  kirish 
xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza 
kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma‘nosi shundaki, kollektor 
o‗tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda 
baza  sohasidagi  kengayish  uning  kengligining  kichrayishi  hisobiga  sodir  bo‗ladi. 
Baza  kengligining  kichrayishi  ikkita  effektga  olib  keladi:  zaryad  tashuvchilar 
rekombinatsiyasining  kamayishi  hisobiga  baza  tokining  kamayishi  va  bazadagi 
asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga 
emitter tokining ortishi. 
 
 
                         a)                                                          b) 
25 – rasm. 
 
Shu  sababli  kollektor  o‗tishdagi  teskari  kulanishning  ortishi  bilan  UB 
sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‗ngga siljiydi. 
UB  sxemadagi  tranzistorning  chiqish  xarakteristikalari  oilasi  bo‗lib  I
E
 
=const bo‗lgandagi I
K
= f (U
KB
) bog‗liqlik, UE sxemada esa I
B
 =const bo‗lgandagi 
I
K
= f (U
KE
) bog‗liqlik hisoblanadi. 
Chiqish xarakteristikalari ko‗rinishiga ko‗ra teskari ulangan diod VAX siga 
o‗xshaydi,  chunki  kollektor  o‗tish  teskari  ulangan.  Xarakteristikalarni  qurishda 
kollektor  o‗tishning  teskari  kuchlanishini  o‗ngda  o‗rnatish  qabul  qilingan  (26  – 
rasm). 

---

 
 
48 
48 
 
 
 
 
 
 
a) 
 
 
 
 
 
b) 
26 – rasm. 
 
26 a - rasmdan ko‗rinib turibdiki, UB sxemadagi chiqish xarakteris-tikalari 
ikki  kvadrantlarda  joylashgan:  birinchi  kvadrantdagi  VAX  aktiv  ish  rejimiga, 
ikkinchi  kvadrantdagisi  esa  –  to‗yinish  ish  rejimiga  mos  keladi.  Aktiv  rejimda 
chiqish  toki  (3.4)  nisbat  bilan  aniqlanadi.  Aktiv  rejimga  mos  keluvchi 
xarakteristika  sohalari  abssissa  o‗qiga  uncha  katta  bo‗lmagan  qiyalikda,  deyarli 
parallel  o‗tadilar.  Qiyalik  yuqorida  aytib  o‗tilgan  Erli  effekti  bilan  tushuntiriladi. 
I
E
=0  bo‗lganda  (emitter  zanjiri  uzilganda)  chiqish  xarakteristikasi  teskari  siljigan 
kollektor  o‗tish  xarakteristikasi  ko‗rinishida  bo‗ladi.  Emitter  o‗tish  to‗g‗ri 
yo‗nalishda  ulanganda  injeksiya  toki  hosil  bo‗ladi  va  chiqish  xarakteristiklari 
)
(
1
2
Э
Э
I
I


kattalikka chapga siljiydi va x.z. 
UE  sxemasida  ulangan   tranzistorning  chiqish  xarakteristikasi UB  sxemada 
ulangan  tranzistorning  chiqish  xarakteristikasiga  nisbatan  katta  qiyalikka  ega. 
Chunki  uning  ko‗rinishiga  Erli  effekti  katta  ta‘sir  ko‗rsatadi.  Bog‗liqliklarning 
umumiy  xarakteri  (26  b-rasm)  kollektor  va  baza  toklari  orasidagi    quyidagi 
bog‗liqlik  bilan aniqlanadi: 
 
0
КЭ
Б
K
I
I
I



,            (3.9) 
 
bu  yerda  I
KE0
 –  I
B
=0  (uzilgan  baza) bo‗lgandagi kollektorning to‗g‗ri    toki. 
I
KE0
  toki  I
K0
  tokidan 
1


martaga  katta  bo‗ladi,  chunki  U
BE
=0  bo‗lganda  U
KE
 
kuchlanishining  bir  qismi  emitter  o‗tishga  qo‗yilgan  bo‗ladi  va  uni  to‗g‗ri 
yo‗nalishda  siljitadi.  Shunday  qilib,  I
KE0
=(
1


)I
K0
  –  ancha  katta  tok  bo‗lib, 
tranzistor ishining buzilishini oldini olish maqsadida baza zanjirini uzish kerak. 
Baza toki ortishi bilan kollektor toki 
)
(
1
2
Б
Б
I
I


 kattalikka ortadi va x.z., 
va  xarakteristika  yuqoriga  siljiydi.  UE  sxemadagi  chiqish  VAXlarining  asosiy  
xossasi  shundaki,  ham  aktiv  va    ham  to‗yinish  rejimlarida  bir  kvadrantda 
joylashadi. Ya‘ni, elektrodlarning berilgan kuchlanish ishoralarida ham aktiv rejim, 
ham  to‗yinish  rejimida  bo‗lishi  mumkin.  Rejimlar  almashinishi  kollektor 

---

 
 
49 
49 
o‗tishdagi  kuchlanishlar  nolga  teng  bo‗lganda  sodir  bo‗ladi.  Kollektor  soha 
qarshiligini  hisobga  olmagan  holda  U
KE 
=    U
KB
  +  U
BE 
bo‗lgani  uchun,  talab 
qilinayotgan  bo‗sag‗aviy  kuchlanish  qiymati    U
*
KE 
=  U
BE
  bo‗ladi.  U
BE
  qiymati 
berilgan baza tokida kirish xarakteristikasidan aniqlanadi.