O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi z. M. Bobur nomidagi andijon davlat univesiteti

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO’YXATI

1. 
   http://vmede.org/sait/?id=Gigiena_truda_izmerov_2010&menu=Gigiena_ truda_izmerov_2010&page=11
   
2. 
   http://wiki.laser.ru/index.php/
   
3. 
   http://laser-technologies.ru/
   
4. 
   http://www.informdom.com/metalloobrabotka/2015/2/tehnologicheskie- lazery-vchera-segodnya-i-zavtra.html
   
5. 
   A.V. Saenko, A.V. Kovalev, V.V. Bespoludin, A.A. Prilipko Issledovanie morfologii poverxnosti i elektroprovodnosti plenok kremniya posle lazernogo otjiga. // Injenernыy vestnik Dona, №1 (2016). ivdon.ru/ru/magazine/archive/n1y2016/3516
   
6. 
   Y.F. Tang, S.R.P. Silva, M.J. Rose. Super sequential lateral growth of Nd:YAG laser crystallized hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. pp. 186-188.
   
7. 
   R. Dassow, J.R. Kohler, M. Grauvogl, R.B. Bergmann, J.H. Werner. Lasercrystallized polycrystalline silicon on glass for photovoltaic applications // Solid State Phen. 1999. Vol. 67-68. pp. 193-198.
   
8. 
   Ye.Yu. Volkov, V.N. Lisochenko, R.V. Konakova, O.B. Oxrimenko, A.M. Svetlichnыy. Vliyanie lazernoy obrabotki na svoystva plenok amorfnogo kremniya // Izvestiya vыsshix uchebnыx zavedeniy. Fizika. 2011. № 1/2. S. 143- 146.
   
9. 
   Duan Chunyan, Liu Chao, Ai Bin, Lai Jianjun, Deng Youjun, Shen Hui. Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon thin films by a pulsed Nd:YAG laser with 355 nm wavelength // Journal of Semiconductors. 2011. Vol. 32. № 12. pp. 123-128.
   
10. 
    Ferreira I., Carvalho J., Martins R. Undoped and doped crystalline silicon films obtained by Nd:YAG laser // Thin Solid Films. 1998. Vol. 317. Issues 1-2. pp. 140-143.
    
11. 
    Malyukov S.P., Kulikova I.V., Kalashnikov G.V. Modelirovanie protsessa lazernogo otjiga strukturы «kremniy-steklovidnыy dielektrik»
    

// Izvestiya YuFU. Texnicheskie nauki. 2011. №7. S.182-188.

12. 
    Malyukov S.P., Sayenko A.V. Laser sintering of a porous TiO2 film in dyesensitized solar cells // Journal of Russian Laser Research. Vol. 36. Issue 3. 2013. pp. 276-280.
    
13. 
    Malyukov S.P., Yu.V. Klunnikova, A.V. Sayenko. Laser Annealing of Oxide Films on the Sapphire Surface // Journal of Russian Laser Research. Vol. 36. Issue 3. 2015. pp. 276-280.
    
14. 
    Kulikova I.V. Razrabotka modeli dlya rascheta napryajenno- deformirovannыx sostoyaniy v poluprovodnikovыx strukturax pri lazernom vozdeystvii // Injenernыy vestnik Dona. 2014. № 2. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n2y2014/2378.
    
15. 
    Kulikova I.V., Malyukov S.P., Kalashnikov G.V., Pristupchik N.K. Issledovanie vliyaniya rejimov rabotы Nd:YAG lazera na napryajenno – deformirovannыe sostoyaniya v obrabatыvaemoy poluprovodnikovoy strukture/ Injenernыy vestnik. Dona. 2013. № 4. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n4y2013/2000.
    
16. 
    Ashikkalieva K.X., Kanыgina O.N., Vasilchenko A.S. Modifikatsii poverxnosti monokristallicheskogo kremniya pri izotermicheskom i lazernom otjigax. // VESTNIK OGU №9 (145)/sentyabr`2012. S.96-100.
    
17. 
    Svetuxin, V.V. Modelirovanie sovremennыx perspektivnыx kremnievыx texnologiy, osnovannыx na upravlenii protsessami klasterizatsii i presipitatsii kisloroda v kremnii. – Ulyanovsk: UlGU, 2006. – 108 s.
    
18. 
    Gorelik S.S., Dashevskiy M.Ya. Materialovedenie poluprovodnikov i dielektrikov. – Moskva: Metallurgiya, 1988. – 574 s.
    
19. 
    Grigoryans, A.G. Texnologicheskie protsessы lazernoy obrabotki. – Moskva: MGTU imeni im. N.E. Baumana, 2006. – 664 s.
    
20. 
    Banishev A.F., Balыkina Ye.A. Razrushenie poverxnosti kremniya i medi pri impulsnom i impulsno_periodicheskom vozdeystvii Nd:YAG lazera // Kvantovaya elektronika. – 1997. – T. 24, №6. – S. 557–559.
    
21. 
    S. V. Filaretov, Ye. A. Kashtanova,E. G. Zubkov, A. A. Polyakov Mexanizm obrazovaniya defektov v monokristallax kremniya pri vozdeystvii lazernogo izlucheniya. // Izvestiya vыsshix uchebnыx zavedeniy. Povoljskiy region. № 3 (27), 2013 Fiziko-matematicheskie nauki. Fizika. S.212-221.
    
22. 
    Orlov, A. N. Vvedenie v teoriyu defektov v kristallax / A.N.Orlov. –M.: Vыsshaya shkola, 1983. – 144 s.
    
23. 
    Sangval, K. Travlenie kristallov / K. Sangval. – M. : Mir, 1990. –
    

471 s.

24. 
    Banishev, A. F. Generatsiya i nakoplenie dislokatsiy na
    

poverxnosti kremniya pri vozdeystvii impulsno-periodicheskogo izlucheniya YAG:Nd lazera / A. F. Banishev, V. S. Golubev, A. Yu. Kremnev // Jurnal texnicheskoy fiziki. – 2001. – T. 71, № 8. – S. 33–38.

25. 
    Vinsens, S. V. O porogax vozniknoveniya neuprugix deformatsiy v poverxnostnыx sloyax Si i GaAs pri mnogokratnom impulsnom lazernom obluchenii. S. V. Vinsens, A. V. Zoteev, G. S. Plotnikov // Fizika i texnika poluprovodnikov. – 2002. – T. 36, № 8. – S. 902–906.
    
26. 
    Gottshtayn, G. Fiziko-ximicheskie osnovы materialovedeniya. / G. Gottshtayn. –M. : Binom. Laboratoriya znaniy, 2011. – 400 c.
    
27. 
    Kikoin, I. K. Tablisы fizicheskix velichin. Spravochnik. / I. K. Kikoin. – M. : Atomizdat, 1976. – 1008 s.
    
28. 
    Banishev, A. F. Razrusheniya poverxnosti kremniya v tverdoy faze pri vozdeystvii impulsov YAG:Nd lazera / A. F. Banishev, V. S. Golubev, A. Yu. Kremnev //Kvantovaya elektronika. – 1998. – T. 25, № 10. – S. 941–944.
    
29. 
    Shevchenko, S. A. Vliyanie otjiga na dislokatsionnuyu elektroprovodnost germaniya // Fizika i texnika poluprovodnikov. – 2000.
    

– T. 34, № 5. – S. 543–549.

30. 
    Bu nkin, F. V. Termoximicheskoe deystvie lazernogo izlucheniya: fundamentalnыe problemы, kinetika, texnologiya / F. V. Bunkin, N. A. Kirchenko, B. S. Luk’yanchuk // Izvestiya AN SSSR. Ser. Fizicheskaya. – 1987. – T. 51, № 6. S. 116.
    
31. 
    Вейко В.П., Дышловенко С.С., Скворцов А.М. Лазерное микроструктурирование поверхности кремния // Научно-технический сборник «Диагностика и функциональный контроль качества оптических материалов». – СПб: СПбГУ ИТМО, 2004. – Ч. 2. – С. 138–153.
    
32. 
    Serano Justin R. and David G. Cahil. Micron-scale buckling of SiO₂ on Si // Appl. Phis. – 2002. – V. 92. – P. 7606–7610.
    
33. 
    Скворцов А.М., Плотников В.В., Соколов В.И. Формирование нанокластеров кремния в структуре кремний/диоксид кремния // Изв. вузов. Приборостроение. – 2006. – Т. 48. – № 3. – С. 62–67.
    
34. 
    Medvid Аrthur, Dmitruk Igor, Onufrijevs Pavels, Pundyk Iryna. Properties of Nanostructure Formed on SiO₂/Si Interface by Laser Radiation // Solid State Phenomena. – 2007. – V. 131–133. – P. 559–562.
    
35. 
    Medvid А., Onufrijevs P., Kropman D., Mellikov E., Mukepavela F., Bakradze F. Low-K factor of SiO₂ layer on Si irradiated by YAG:Nd laser // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2007. – V. 353. – № 5–7. – P. 703–707.
    
36. 
    Скворцов А.М., Лэ Зуй Туан, Чуйко В.А., Фам Куанг Тунг. Формирование регулярного массива наноструктур кремния в пленке SiO₂ на кремниевой подложке методом проекционного лазерного облучения // Изв. вузов. Приборостроение. – 2009. – Т. 52. – № 5. – С. 69–75.
    
37. 
    Skvortsov A.M., Veiko V.P., Sokolov V.I., Pham Qung Tung, Khaletsky R.A. Laser modification of thermal oxide films on silicon // International conference «Fundamentals of laser assisted micro- and nanotechnologies» (FLAMN-10): Abstracts. – St. Petersburg: Russia, 2010. – P. 103.
    
38. 
    Khaletsky R.A., Zamoraynskaya M.V., Kolesnikova E.V., Skvortsov A.M., Sokolov V.I., Pham Qung Tung, Veiko V.P. «Long-range action» effect under laser irradiation of SiO₂-Si system // International conference «Fundamentals of laser assisted micro- and nanotechnologies» (FLAMN-10): Abstracts. – St. Petersburg: Russia, 2010. – P. 105.
    
39. 
    Veiko V.P., Skvortsov A.M., Sokolov V.I., Pham Qung Tung, Khalecki R.A., Efimov E.I., Vartanyan Tigran A. Effect of laser irradiation on the structures properties such as SiO₂/Si // Fundamentals of Laser-Assistant Micro- and Nanotechnologies 2010. Proceeding of SPIE. – 2011. – V. 7996. – P. 79960S-79960S-5.
    
40. 
    Скворцов А.М., Фролков Е.Г. Дефектообразование и надежность больших интегральных схем: Учебное пособие. – СПб: СПб ГИТМО (ТУ), 2003. – 139 с.
    
41. 
    Хирт Д., Лотте Н. Теория дислокаций: Пер. с англ. / Под ред. Э.М. Нагорного и Ю.А. Осипьяна. – М.: Атомиздат, 1972. – 600 с.
    
42. 
    Бенгус В.З. Скорость размножения подвижных дислокаций и источники подвижных дислокаций. – Киев: Наукова думка, 1975. – С. 315–333.
    
43. 
    Bai G.F., Wang Y.Q., Ma Z.C., Zong W.H. and Qin G.G. Electroluminescence from Au/native silicon oxide layer/pC-Si and Au/native silicon oxide layer/nC-Si structures under reverse biases. // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V. 10. Р. 717–721.
    
44. 
    Lin C.-F., Liu C.W., Chen M.-J., Lee M.H. and Lin I.C. Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. Р. 205–210.
    
45. 
    Kim K., Suh M.S., Kim T.S., Youn C.J., Suh E.K., Shin Y.J., Lee K.B. and Lee H.J. Room-temperature visible photoluminescence from silicon-rich oxide layers deposited by an electron cyclotron resonance plasma source. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. Р. 3908– 3910.
    
46. 
    Torchinska T., Aguilar-Hernandez J., Morales-Rodriguez M., Mejia-Garcia C., ContrerasPuente G., Becerril Espinosa F.G., Bulakh B.M., Schverbina L.V., Goldstein Y., Many A. and Jedrzejewski J. Comparative investigation of photiluminiscence of silicon wire structures and silicon oxide films. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. V. 63. Р. 561–568.
    
47. 
    Torchynska T.V., Bulakh B.M., Polupan G.P., Palacios Gomez J., Flores Gonzalez H.A., Bacarril Espinoza F.G., Ita Torre A. and Scherbina L.V. Comparative investigation of surface structure, photoluminescence and its excitation in silicon wires. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2001. V. 114–116. Р. 235–241.
    
48. 
    V.Zorba, I.Alexandrou, I.Zergioti, A.Manousaki, C.Ducati, A.Neumeister, C.Fotakis, G.A.J.Amaratunga. Laser microstructuring of Si surfaces for low-threshold field-electron emission. Thin Solid Films. Volumes 453–454, 1 April 2004, Pages 492-495.
    
49. 
    Wei Chen, Junying Zhang, Qi Fang, Keliang HuIan, W. Boyd. Surface modification of polyimide with excimer UV radiation at wavelength of 126 nm. Thin Solid Films. Volumes 453–454, 1 April 2004, Pages 3-6.
    
50. 
    В.Н. Богомолов, С.А. Гуревич, М.В. Заморянская, А.А. Ситникова, И.П. Смирнова, В.И. Соколов. Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2. ст. 357-359.
    
51. 
    М.В. Заморянская. Катодолюминесценция широкозонных материалов и наногетероструктур на их основе. Дисс..док.физ.-мат. наук Санкт-Петербург 2012. 373 с.
    
52. 
    Кортов B.С., Зацепин А.Ф., Бирюков Д.Ю., Schmidt B. Фотостимулированная электронная эмиссия аморфного диоксида кремния, имплантированного ионами железа. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006, № 7. Ст. 84-87.
    
53. 
    И.А. Романов, Л.А. Власукова, Ф.Ф. Комаров, И.Н. Пархоменко, Н.С. Ковальчук, М. А. Моховиков, А.В. Мудрый, О.В. Мильчанин..Фото- и электролюминесценция структур оксид-нитрид-оксид-кремний для применения в кремниевой оптоэлектронике. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2018. Том 62, № 5.ст. 546-554.
    
54. 
    С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, В.А. Лабунов, А.А. Лешок, В.Е. Борисенко. Электролюминесценция наноструктурированного кремния в матрице анодного оксида алюминия. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 9.ст. 1126-1129.
    
55. 
    И.А. Романов, Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, И.Н. Пархоменко, Н.С. Ковальчук. Процессы деградации электролюминесценции светоизлучающих структур на основе тонких пленок оксида и нитрида кремния. 2021. Том 65, № 2. Ст. 158-167.
    
56. 
    А.Е. Бердников, В.Н. Гусев, А.А. Мироненко, А.А. Попов, А.В. Перминов, А.С. Рудый, В.Д. Черномордик. Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения. Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 5. Ст. 626-632.
    
57. 
    В.В. Литвиненко, В.Е. Родионов, Н.А. Родионова, И.Н. Шмидко. Оптические свойства субмикронных пленок оксида кремния после высокотемпературной обработки / // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 4. ст. 346–349.
    
58. 
    Talochkin AB, Teys SA, Suprun SP: Resonance Raman scattering by optical phonons in unstrained germanium quantum dots. Phys Rev 2005, 72:115416–11154.
    
59. 
    Wu XL, Gao T, Bao XM, Yan F, Jiang SS, Feng D: Annealing temperature dependence of Raman scattering in Ge+−implanted SiO2 films. J Appl. Phys 1997, 82:2704.
    
60. 
    Hartmann JM, Bertin F, Rolland G, Semeria MN, Bremond G: Effects of the temperature and of the amount of Ge on the morphology of Ge islands grown by reduced pressure-chemical vapor deposition. Thin Sol Film 2005, 479:113–120.
    
61. 
    Yoshida T, Yamada Y, Orii T: Electroluminescence of silicon nanocrystallites prepared by pulsed laser ablation in reduced pressure inert gas. J Appl Phys 1998, 83:5427–5432.
    
62. 
    Medvid A, Dmitruk I, Onufrijevs P, Pundyk I: Properties of nanostructure formed on SiO2/Si interface by laser radiation. Solid State Phenom 2008, 131–133:559–562.
    
63. 
    Medvid A, Dmytruk I, Onufrijevs P, Pundyk I: Quantum confinement effect in nanohills formed on a surface of Ge by laser radiation. Phys Status Solidi C 2007, 4:3066–3069.
    
64. 
    Medvid A, Mychko A, Strilchyk O, Litovchenko N, Naseka Y, Onufrijevs P, Pludonis A: Exciton quantum confinement effect in nanostructures formed by laser radiation on the surface of CdZnTe ternary compound. Phys Status Solidi C 2009, 6:209–212.
    
65. 
    Medvid’ A, Onufrijevs P, Lyutovich K, Oehme M, Kasper E, Dmitruk N, Kondratenko O, Dmitruk I, Pundyk I: Self-assembly of nanohills in Si_1−xGe_x/Si hetero-epitaxial structure due to Ge redistribution induced by laser radiation. J Nanosci Nanotechnol 2010, 10:1094–1098.
    
66. 
    Medvid A: Redistribution of point defects in the crystalline lattice of a semiconductor in an inhomogeneous temperature field. Defect and Diffusion Forum 2002, 210–212:89–102.
    
67. 
    Medvid A: Redistribution of point defects in the crystalline lattice of a semiconductor in an inhomogeneous temperature field. Defect and Diffusion Forum 2002, 210–212:89–102.
    
68. 
    Medvid’ A, Onufrijevs P, Dauksta E, Barloti J, Ulyashin AG, Dmytruk I, Pundyk I: P-N junction formation in ITO/p-Si structure by powerful laser radiation for solar cells applications. Adv Mater Res 2011, 222:225–228.
    
69. 
    Mada Y, Inoue N: p-n Junction formation using laser induced donors insilicon. Appl Phys Lett 1986, 48:1205.
    
70. 
    Blums J, Medvid A: The generation of donor centres using double frequency of YAG:Nd laser. Phys Status Solidi 1995, 147:K91–K94.
    
71. 
    Kiyak SG: Formation of p-n junction on p-type Ge by millisecond laser pulses. Phys Tech Semiconduct 1984, 18:1958–1964.
    
72. 
    Claeys C: Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices. London: Elsevier; 2007.
    
73. 
    Cheung K, Cheung NW: Extraction of Shottky diode parameters from forward current–voltage characteristics. Appl Phys Lett 1986, 49:85–87.
    
74. 
    Koynov S, Brandt M, Stutzmann M: Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells. Appl Phys Lett 2006, 88:203107–1–203107–3.
    
75. 
    Kosyachenko LA: Solar Cells - Silicon Wafer-Based Technologies. Intech: Rijeka; 2011.
    
76. 
    Yamamoto K, Sakamoto A, Nagano T, Fukumitsu K: NIR sensitivity enhancement by laser treatment for Si detectors. Nuclear Instr Meth Phys 2010, A624:520–523.
    
77. 
    Halbwax M, Sarnet T, Delaporte P, Sentis M, Etienne H, Torregrosa F, Vervisch V, Perichaud I, Martinuzzi S: Micro and nano-structuration of silicon by femtosecond laser: application to silicon photovoltaic cells fabrication. Thin Sol Film 2008, 516:6791–6795.
    
78. 
    Liu S, Zhu J, Liu Y, Zhao L: Laser induced plasma in the formation of surface-microstructured silicon. Mater Lett 2008, 62:3881.
    
79. 
    Jeon M, Uchiyama H, Kamisako K: Characterization of tin-catalyzed silicon nanowires synthesized by the hydrogen radical-assisted deposition method. Mater Lett 2009, 63:246–248.
    
80. 
    Medvid’ A, Onufrijevs P, Dauksta E, Kyslyi V: “Black silicon” formation by Nd:YAG laser radiation. Adv Mater Res 2011, 222:44–47.
    
81. 
    Bennett TD, Krajnovich DJ, Grigoropoulos CP, Baumgart P, Tarn AC: Marangoni mechanism in pulsed laser texturing of magnetic disk substrates. J Heat Tran 1997, 119:589–596.