O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. E. Mamarajabov, sh sh. Adinayev, R. A. Razzokov kompyuter ta’minoti

r 
— 
p 
o’tishlar yordamida himoya qilinadi. Ular purkash yo’li bilan hosil 
qilinadigan simchalar yordamida biror elektr sxemani aks ettirgan holda 
tutashtiriladi. Tutashtirish simchalari 
metall tarmoqchalar 
deb ataladi. Ular, 
asosan, alyuminiydan tayyorlanadi. 
Yarim o’tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik 
jarayon bo’lib, ularning turlari xilma-xildir. Barcha jarayonlarning negizini 
tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha passiv va aktiv elementlar 
tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolyar yoki unipolyar 
tranzistorlar bajaradi. 
:
Tranzistorlar. 
Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning har ikki formulasi 
r 
— 
p 
— 
r 
va 
p 
— 
r 
— 
p 
dan foydalaniladi. Ulardan 
p 
— 
r 
— 
p 
turi eng ko’p tarkalgan. 
Tranzistorlarni yasashda, asosan, planar va epitaksal — planar deb atalgan 
texnologik jarayonlar qo’llaniladi. Planar texnologiyada yarim o’tkazgich 
kristaliga donor va aktseptor moddalar diffuziya usulida kiritiladi. Unda 
tranzistorlar elektrodlarining tutashtirish uchlari bir tekislikda joylashtiriladi. Bu 
ularni dielektrik pardasi yordamida tashqi ta’sirlardan himoya qilish imkonini 
beradi. 

---

51 
Epitaksal planar texnologiya usulida tranzistorlar yupqa monokristallni o’stirish 
yo’li bilan hosil qilinadi. Planar texnologiya tranzistorlar yasashda eng ko’p 
tarqalganidir. Lekin bunda IMSda hosil qilinadigan r — 
p 
o’tishlar aniq, 
chegaraga ega bo’lmaydi, chunki diffuziya materialning sirtidan boshlanadi. 
SHuning uchun qotishmaning atomlari boshlang’ich materialda bir hil 
taqsimlanmaydi — sirtda ko’p, ichki tarafga esa, kamayib boradi. Bu sxema 
elementlarining sifatiga katta ta’sir ko’rsatadi. Ikkinchi usulda bu kamchilik 
yo’qotiladi. 
Planer texnologiya asosida yasalgan 
p 
— 
r
— 
p 
tur-dagi bipolyar 
tranzistorlarda emitter va kollektor o’tishlaridan utadigan tok vertikal yo’nalishda 
okadi. SHuning uchun ular 
vertikal tranzistorlar 
deb ataladi. Bundan farqlash 
uchun 
r 
— 
p 
— 
r 
turdagi tranzistorlarda 
r
—
p 
o’tishlardan o’tadigan tok 
gorizontal yo’nalishda o’tadigan qilinadi va ular 
gorizontal tranzistorlar 
deb 
ataladi. 
SHuni aytish kerakki, yarim o’tkazgichli IMSda har doim zararli elementlar 
ham hosil bo’ladi. Masalan, 
R 
— kristall asosida 
p 
— 
r 
— 
p 
turdagi tranzistor 
yasalganda asos kristall va tranzistorning kollektor va baza sohalari orasida 
r
—
p
—
r 
turdagi zararli tranzistor hosil bo’ladi. Zararli elementlarning ta’sirini 
hisobga olish uchun tranzistorning turli xil ekvivalent sxemalaridan foydalaniladi. 
Mikroelektronikaning rivojlanishi diskret yarim o’tkazgichlar texnikasida
mavjud bo’lmagan yangicha bipolyar tranzistorni yasash imkoniyatini berdi. 
Ko’p emitterli yoki ko’p kollektorli tranzistorlar shular jumlasidandir. 
Ko’p kollektorli tranzistorlarning tarkibiy kismi ko’p emitterli 
tranzistorlarnikiga uxshash bo’ladi. Lekin ishlash rejimi farq qiladi. 
Unipolyar tranzistorlar ham bipolyar tranzistorlarni yasash texnologiyasi 
asosida yaratiladi. Lekin ularni yasash osonroq chunki elementlarni himoya qilish 
talab qilinmaydi va to’plamdagi qo’shni tranzistorlarning istok va stoklari 
qarama-qarshi yo’nalishda ulangan 
r — p 
o’tishlar bilan bir-biridan ajratilgan 
bo’ladi. Natijada tranzistorlarni o’zaro juda yaqin masofada joylashtirib, sxema 
elementlari zichligini oshirish imkoni tug’iladi. 

---

52 
Unipolyar tranzistorlardan eng ko’p tarqalgani MOP turdagi 
tranzistorlardir. Bunga sabab ularning kirish qarshiligi katta va tuzilishining 
soddaligidir. 
Ayrim IMSda