O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

2. Yarim o‘tkazgichli asboblarning buzilishi.

Yarim o‘tkazgich asboblarning buzilishi yarim o‘tkazgich material strukturasini o‘zgarishi natijasida kelib chiqishi mumkin, u asbob yig‘ilganda begona moddalarni qo‘qqis kirib qolishi natijasida bo‘ladi. Yarim o‘tkazgich asboblar ishonliligi birinchi navbatda haroratni bir holatdan boshqa holatga o‘tishiga bog‘liq bo‘lib, quyidagi formula orqali aniqlanadi:

t_o‘t=t_max+ӨP_o‘r

bu yerda t_{o‘t –} haroratni bir holatdan boshqasiga o‘tishi (tranzistorlarda kollektor o‘tishdagi harorat); t_max – atrof muhit haorati yoki qobiq harorati (qat’iy chiqishli asboblarda); P_{o‘r –} t⁰ o‘tishdagi o‘rtacha tarqalish kuchlanishi (tranzistorlarda – kollektor o‘tishdagi harorat); Ө - o‘tishlar orasidagi va tashqi muhitdagi issiqlik qarshiligi (yumshoq chiqishli asboblar uchun) yoki o‘tishlar orasidagi va qobiqdagi (qat’iy chiqishli asboblar uchun).
Ko‘proq ishlatiladigan tranzistorlar uchun qobiq va o‘tishlar orasidagi issiqlik qarshiligi 0=0,15⁰S/ mvt, atrof muhit va o‘tishlar orasidagi esa 0=0,25⁰C/mvt.
Yarim o‘tkazgichli asboblar buzilish xavfi atrof muhit xarorati va yuklanish koeffisentiga bog‘liq. Tranzistorlar buzilish xavfi diodlar buzilish xavfidan yuqori, chunki tranzistorlar ikkita o‘tishga, murakkabroq konstruksiyaga ega va chiqishlari soni ko‘p.
Umumiy holat uchun yarim o‘tkazgich asboblar yuklanishni koeffisentini quyidagi formula orqali aniqlanadi:

K_u=P_u/P_iom

bu yerda P_u – ishchi kuchlanishni tarqalishi; P_iom – nominal kuchlanish tarqalish.
Kremniyli yarim o‘tkazgich germaniynikiga nisbatan ancha yuqori haroratda ham nominal qiymatlari o‘zgarmaydi, shu sababli kremniyli yarim o‘tkazgich asboblarda buzilish xavfi past bo‘ladi. Yarim o‘tkazgich asboblari buzilish xavfi tashqi muxit xaroratiga bog‘liq holda ma’lum chegaraviy qiymatga yetganda katta bo‘ladi.