O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi buxoro davlat universiteti magistratura bo’limi Qo’lyozma huquqida udk: sharopov farrux qobilovich harorat ta’sirida maydon tranzistorining elektro-fizik parametrlari

3.3- rasm. Zatvor-istok o'tishning termosezgirlik parametrini o'lchash sxemasi

tan ( ) yuqoridir, bu esa p-n-oʼtishning keskinligini kafolatlaydi.

3.4-rasm. Diodli-ulangan maydon tranzisto-rining to'g'ri tushayotgan kuchlanishining haroratga bog'liqligi

7-rasmda qarshilik-tokni chek-lovchidan diodni ta'minlovchi-ning turli kuchlanishlarida tu-shayotgan kuchlanishga bog'liqligi keltirilgan. Egri chiziq 1 yopilish kuchlanishi 1.2 V va ta'minlovchi kuchlanish 4.9 V da, 2-egri chiziq esa ta'minlovchi kuchlanishi 2.3 V bo'lgan namunada olingan. 7-rasm-dan ko'rinadiki,

ta'minlovchi kuch-lanishini kamaytirganda harorat sezgirligi ham pasayadi. Bunda tu-shayotgan kuchlanish kattaligi yopi-lish kuchlanishi kichik bo'lgan namunada katta bo'ladi (1-egri chiziq).
Harorat koeffitsiyentlarining farq qilishini zatvorning p-n-o'ti-shidan tok o'tkazish mexanizmi asosida izohlovchi tenglik bilan tushun-tirish mumkin:
(3.2)
Strukturada tokning o'zgarishsiz saqlanishi tushayotgan kuchlanishning haroratga bog'liqligiga olib keladi. Tegishlicha (12) formulaga asosan to'g'ri
(3.3)
tokning p-n-o'tishda siljish kuchlanishi kattaligining o'zgarishidan vujudga keladigan teskari tokka nisbatining o'zgarishi harorat koeffitsiyentlarining farqlanishiga olib keladi (7-rasm, 1- va 2-egri chiziqlar).
(3.4)
Xususan, siljish kuchlanishining pasayishida harorat koeffi-tsiyenti 2.5 mV/°S dan 1.72 mV/°S gacha kamayadi. Bunda to'g'ri tok cheklangan va mos qiymatga ega bo'lganligi sababli p-n-o'tishda tushayotgan kuchlanish diodli ulangan maydon tranzistorining haroratiga proportsional o'zgaradi.
Kattaligi jihatidan berilayotgan kuchlanish (musbat) p-n-o'tishli zatvor ning diffuzion potentsiali (manfiy qiymat)ga teng bo'lgan berilgan harorat bilan aniqlanadi:
(3.5)
haroratning oshishi bilan xususiy tashuvchilar kontsentratsiyasining oshishi bilan kamayadi. Maydon tranzistorining dioddan farqi uning bazaviy sohasi-kanal qalinligining fiksatsiyalanganligida bo'lib, bunda yopilish rejimida bazaviy sohaning hajmiy zaryad qavati bilan egalla-nishiga olib keladi. Ya'ni, to'g'ri siljish rejimida ham baza sohasida tashuvchilar rekombinatsiyasiga bog'liq jarayonlar kuzatiladi. Oddiy diodda baza qalinligi cheklanmagan va p-n-o'tishga nisbatan ketma-ket qarshilikka ega bo'ladi, bu esa rekombinatsion toklarning o'zgarishi natijasida qo'shimcha kuchlanish pasayganda potentsiallar kontakt farqiga nisbatan strukturaning sezgirligini pasaytiradi.