O’zbekiston respublikasi oliy


Tranzistorlarning statik tavsifi



Download 499,59 Kb.
bet19/24
Sana30.12.2021
Hajmi499,59 Kb.
#197948
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24
Bog'liq
tranzistor va diodning ishlash printsipini organish uslublari (1)
KARIMOVA JASMINA, ona tili 9 imtihon 2021

Tranzistorlarning statik tavsifi.


Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yo’qlama qo`yilmagan holda o`rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o`zaro bog`liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma`lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo`lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.

UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo`lib UKB = const bo`lgandagi IE= f (UEB) bog`liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const bo`lgandagi IB=f(UBE) bog`liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda to`g`ri yo`nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko`rinishiga ko`ra kirish xarakteristiklari eksponentsial xarakterga ega (26- rasm).

Rasmlardan ko`rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o`zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma`nosi shundaki, kollektor o`tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo`ladi. Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi. Shu sababli kollektor o`tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o`ngga siljiydi.

UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo`lib IE =const bo`lgandagi IK= f (UKB) bog`liqlik, UE sxemada esa IB =const bo`lgandagi IK= f (UKE) bog`liqlik hisoblanadi.

Chiqish xarakteristikalari ko`rinishiga ko`ra teskari ulangan diod VAX siga o`xshaydi, chunki kollektor o`tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor o`tishning teskari kuchlanishini o`ngda o`rnatish qabul qilingan (26 – rasm).



  1. b)

  1. – rasm.

26a- rasmdan ko`rinib turibdiki, UB sxemadagi chiqish xarakteristikalari ikki kvadrantlarda joylashgan: birinchi kvadrantdagi VAX aktiv ish rejimiga, ikkinchi kvadrantdagisi esa – to`yinish ish rejimiga mos keladi. Aktiv rejimda chiqish toki (3.2.1) nisbat bilan aniqlanadi. Aktiv rejimga mos keluvchi xarakteristika sohalari abstsissa o`qiga uncha katta bo`lmagan qiyalikda, deyarli parallel` o`tadilar. Qiyalik yuqorida aytib o`tilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi. IE=0 bo`lganda (emitter zanjiri uzilganda) chiqish xarakteristikasi teskari siljigan kollektor o`tish xarakteristikasi ko`rinishida bo`ladi. Emitter o`tish to`g`ri yo`nalishda ulanganda injektsiya toki hosil bo`ladi va chiqish xarakteristiklari (Ie2 Ie1) kattalikka chapga siljiydi va x.z.

UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega. Chunki uning ko`rinishiga Erli effekti katta ta`sir ko`rsatadi. Bog`liqliklarning umumiy xarakteri (25 b-rasm) kollektor va baza toklari orasidagi quyidagi bog`liqlik bilan aniqlanadi:



IK IB

I КE0 , (3.2.1)

bu erda IKE0 IB=0 (uzilgan baza) bo`lgandagi kollektorning to`g`ri toki. IKE0



toki IK0 tokidan

1 martaga katta bo`ladi, chunki UBE=0 bo`lganda UKE

kuchlanishining bir qismi emitter o`tishga qo`yilgan bo`ladi va uni to`g`ri yo`nalishda siljitadi. Shunday qilib, IKE0=( 1 )IK0 – ancha katta tok bo`lib, tranzistor ishining buzilishini oldini olish maqsadida baza zanjirini uzish kerak.

Baza toki ortishi bilan kollektor toki

 (Ib2 Ib1)

kattalikka ortadi va x.h., va

xarakteristika yuqoriga siljiydi. UE sxemadagi chiqish VAXlarining asosiy xossasi shundaki, ham aktiv va ham to`yinish rejimlarida bir kvadrantda joylashadi. Ya`ni, elektrodlarning berilgan kuchlanish ishoralarida ham aktiv rejim, ham to`yinish rejimida bo`lishi mumkin. Rejimlar almashinishi kollektor o`tishdagi kuchlanishlar no’lga teng bo`lganda sodir bo`ladi.Kollektor soha qarshiligini hisobga olmagan holda UKE = UKB + UBEbo`lgani uchun, talab qilinayotgan bo`sag`aviy kuchlanish






    1. b)

  1. – rasm.

qiymati U*KE = UBE bo`ladi. UBE qiymati berilgan baza tokida kirish xarakteristikasidan aniqlanadi.

Hozirgi zamon elektronika asrida elektron qurilmalar chizmalarida bipolyar, ya’ni ikki qutbli tranzistorlar bilan bir qatorda maydonli yoki bir qutbli tranzistorlar keng ishlatiladi. Bir qutbli tranzistorlar birinchi marta 1952 yilda V.Shokli tomonidan kashf etilgan. Ular ikki qutblilarga qaraganda ancha sodda va arzondir.



    1. Download 499,59 Kb.

      Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2022
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
maxsus ta’lim
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
O’zbekiston respublikasi
guruh talabasi
nomidagi toshkent
o’rta maxsus
davlat pedagogika
texnologiyalari universiteti
toshkent axborot
xorazmiy nomidagi
Ўзбекистон республикаси
rivojlantirish vazirligi
pedagogika instituti
таълим вазирлиги
махсус таълим
haqida tushuncha
O'zbekiston respublikasi
tashkil etish
toshkent davlat
vazirligi muhammad
saqlash vazirligi
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
respublikasi axborot
vazirligi toshkent
bilan ishlash
Toshkent davlat
uzbekistan coronavirus
sog'liqni saqlash
respublikasi sog'liqni
vazirligi koronavirus
koronavirus covid
coronavirus covid
risida sertifikat
qarshi emlanganlik
vaccination certificate
sertifikat ministry
covid vaccination
Ishdan maqsad
fanidan tayyorlagan
o’rta ta’lim
matematika fakulteti
haqida umumiy
fanidan mustaqil
moliya instituti
fanining predmeti
pedagogika universiteti
fanlar fakulteti
ta’limi vazirligi