O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va

EPROM avlodlari, o'lchamlari va turlari

Birinchi avlod 1702 qurilmasi p-MOS texnologiyasi asosida ishlab chiqarilgan. Ular VCC = VBB = +5 V va VDD = VGG = -9 V bilan o'qish rejimida, VDD = VGG = -47 V bilan esa dasturlash rejimida ishladilar.

Ikkinchi avlod 2704/2708 qurilmalari n-MOS texnologiyasiga va dasturlashda VPP = 12 V va +25 V pulsli VCC = +5 V, VBB = -5 V, VDD = +12 V quvvat manbaiga o'tdilar. rejimi.
N-MOS texnologiyasi evolyutsiyasi uchinchi avlodda bitta relsli VCC = +5 V quvvat manbai va bitta VPP = +25 V dasturlash kuchlanishini impulssiz joriy etdi. Keraksiz VBB va VDD pinlari bir xil 24-pinli paketdagi (2716/2732) kattaroq hajmdagi va hatto kattaroq paketlarga ega bo'lgan kattaroq quvvatga imkon beradigan qo'shimcha manzil bitlari uchun qayta ishlatilgan. Keyinchalik CMOS texnologiyasining pasaygan narxi uning yordamida bir xil qurilmalarni ishlab chiqarishga imkon berdi va "S" harfini qurilma raqamlariga qo'shib qo'ydi (27xx (x) n-MOS va 27Cxx (x) CMOS).
Turli xil ishlab chiqaruvchilarning bir xil o'lchamdagi qismlari o'qish rejimiga mos keladigan bo'lsa, turli ishlab chiqaruvchilar dasturlash jarayonida nozik farqlarga olib keladigan turli xil va ba'zan bir nechta dasturlash rejimlarini qo'shdilar. Bu ishlab chiqaruvchi va qurilmani EPROM dasturchisi tomonidan aniqlashga imkon beradigan katta hajmli qurilmalarni "imzo rejimi" ni joriy etishga undadi. U A9 pinida +12 V ni kuchaytirish va ikki bayt ma'lumotni o'qish orqali amalga oshirildi. Ammo, bu universal bo'lmaganligi sababli, dasturchi dasturiy ta'minot ham to'g'ri dasturlashni ta'minlash uchun chip ishlab chiqaruvchisi va qurilma turini qo'lda sozlash imkonini beradi.