O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al – xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti telekommunikatsiya texnologiyalari” fakulteti

Geteroo‘tishli fotodiod

Geteroo‘tishli fotodiodlar fotoqabulqilgichlarning eng istiqbolli turlaridan hisoblanadi.

Geterotuzilishlar foydali ish koeffitsiyenti 100 foizga yaqin fotodiodlar yaratish imkoniyatini beradi.

Geteroo‘tishli fotodiodning ish xususiyatini GaAs — GaAlAs tuzilishli fotodiod yordamida ko‘rib chiqamiz. 4.8-rasmda bu turdagi geterofotodiodning tuzilishi va energetik diagrammasi keltirilgan.

Keng man etilgan energetik sohali p+ GaAlAs qatlami o‘rta n GaAs sohasida yutiladigan nurlanishni o‘tkazuvchi darcha vazifasini o‘taydi. Geteroo‘tishning ichki tomonida man etilgan energetik sohalarning kengligi 1,4 eV ni tashkil etadi. Yorug‘lik nurlanishi ta’sirida hosil bo‘lgan kovaklar p+ GaAlAs sohaga hech qanday to‘siqsiz o‘tadigan o‘rta aktiv n GaAs sohaning qahnligi nurla- nishning asosiy qismining yutilishini ta’minlaydigan qilib tanlab

olinadi. Bu sohaning yuqori darajadagi tozaligi, qatlamlar chega- rasidagi sirt holatlari zichligining kamligi yorug‘lik ta'sirida hosil boigan zaryad tashuvchilarning rekombinatsiya jarayoni natijasida yo‘qolishini kamaytirish imkonini beradi.

Shunday qilib, geteroo‘tishli fotodiodlar katta foydali ish koeffitsiyentini ta’minlagan holda p-n va p-i-n tuzilishli foto- diodlarga tegishli afzalliklarga, yuqori sezgirlikka, yuqori tezkorlikka ega bo‘ladi. Ular kichik ishchi kuchlanishlarda ishlaydi.

Geteroo‘tishlar ularni tashkil etuvchi yarimo‘tkazgich moda- larni tegishli tarzda tanlab olish yo‘li bilan to‘lqin uzunliklari optik diapazonining istalgan qismida ishlay oladigan fotodiodlar yaratish imkonini beradi. Geteroo‘tishli fotodiodning bu afzalligi shu bilan bog‘liqki, unda ishchi to'lqin uzunligi man etilgan energetik

sohalarning farqi bilan aniqlanadi. Baza soha materialini tanlash imkoniyatining kengligi tufayli geterofotodiodlarda elektr yurituvchi kuchlanishning erishishi mumkin bo'lgan qiymatlari 0,8-1,1 V ni tashkil etadi. Bu kremniyli fotodiodga tegishli qiymatdan 2 - 3 marta kattadir.

Geteroo‘tishli fotodiodning asosiy kamchiligi uni tayyorlash jarayonining murakkabligi bilan bog'liq.