O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari ba kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI BA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Kafedra Elektronika va radiotexnika
Fan Elektronika va sxemalar 1

LABORATORIYA ISHI – 12
Mavzu: Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнингнинг статик Вольт-ампер характеристикаларини тадқиқ этиш

Bajardi: 830-19-guruh talabasi

Samadov Yo`ldosh

Tekshirdi: Sobir Ulashov


Toshkent-2020
Ишдан мақсад: Умумий эмиттер уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш.

Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

12.1. Лаборатория ишини бажариш олдидан уинг паспорт кўрсатмаларини ёзиб олинг.

12.2. Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчашда 12.1-расмда келтирилган принципал схемани йиғинг, схемани ўлчашда қўлланиладиган ўлчов асбоблари билан танишиб чиқинг.

12.1-расм. Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчаш схемаси

12.2-расм. Яримўтказгичли стабилитронни ВАХ ўлчаш схемасининг

УЛСда бажарилиш тартиби

BT markasi 2N5655 R1=22kOm

12.3-расм. УЭ уланиш схемасидаги БТнинг КХО ва ЧХОсини ўлчаш схемасини NI.MultiSim муҳитида йиғилган кўриниши

12.1 – жадвал. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг

кириш характеристикалари оиласи

Uke=0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE(V)	0	0,476	0,503	0,517	0,527	0,534	0,54	0,545	0,549	0,553	0,556
Uke=2V	IB(mA)	0	20	40	60	80	100	120	140	460	480	200
	UBE(V)	0	0,553	0,572	0,577	0,579	0,581	0,582	0,583	0,585	0,586	0,587

IB=(mkA)=40	UKE(V)	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16	18	20
	IK(mA)	0	0,868	1,622	1,658	1,694	1,765	1,836	1,907	1,979	2,05	2,122	2,193	2,263
IB(mkA)=80	UKE(V)	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16	18	20
	IK(mA)	0	0,891	1,86	2,818	3,275	3,326	3,533	3,672	3,809	3,948	4,086
IB(mkA)=120	UKE(V)	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16	18	20
	IK(mA)	0	0,899	1,876	2,855	3,828	4,91	5,11	5,311	5,511	5,511

12.2 – жадвал. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг

чиқиш характеристикалари оиласи

12.3. 12.1 ва 12.2-жадваллар асосида олинган ўлчаш натижалари асосида кириш характеристикалари оиласи (яъни УКЭ=cонст бўлганда, IБ=f(UБЭ)) ва чиқиш характеристикалари оиласи (яъни IБ=cонст бўлганда, IК=f(UКЭ)) боғликлик графиклар чизилади ва h-параметрларни кириш ва чиқиш хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h11Э ва h12Э – кириш характеристикалар оиласидан, h21Э ва h22Э – чиқиш характеристикалар оиласидан):

Ряд1 Uke=0V; Ряд2 Uke=2V

12.4-расм. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг кириш характеристикалари оиласи

Ряд1 Ib=40mkA; Ряд2 Ib=20mkA; Ряд3 Ib=120mkA;

Ряд1 Ib=40mkA; Ряд2 Ib=20mkA; Ряд3 Ib=120mkA;

h11e=∆Ube/Ib=(0,531-0,523)/(150*10^-6-132*10^-6)=444,4

Uke=const

h12e=∆Ube/Uke=(0,588-0,55)/(2-0)=0,019

Ib=const

h21=∆Ik/∆Ib=(5,25*10^-3- 1,97*10^-3)/(120*10^-6-40*10^-6)=41

Uke=const

h22e=∆Ik/Uke=(0,386*10^-3-0,361*10^-3)/(12-8,8)=0,00001136

Ib=const

Xulosa:

Men bu labaratoriya ishida umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy static xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq qildim. Shuningdek matematik hisob kitoblar orqali va Multisim orqali amaliy jarayonlarni bajarib jadvallarni to`ldirdim. Jadvaldagi qiymatlar orqali ularning grafiklarini excel dasturida chizmalarini chizdim. Bu labaratoriya ishida o`zimga kerakli malumotlarni egalladim.