Основные параметры полупроводниковых лазеров

МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГОСПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УЗБЕКИСТАНА
ИМЕНИ МИРЗО УЛУГБЕКА


Факультет “Физика” кафедра “Фотоника”

На тему:ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ

Выполнила: магистр1курса
Турсункулов .Э.А____________
Проверил:науч.рукф-м.к.н
И.А.Соловьёв__________
Т ашкент – 2022
Тема: ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ.
План
Введение………………………………………………………………………3

1. 
   .Полупроводниковые лазеры. Общие понятия………………….….………..4
   
2. 
   Основные параметры полупроводниковых лазеров……………….………..10
   
3. 
   Твердотельные лазеры…………………………………………………...12
   
4. 
   Оптическое усиление и обратная связь…………………………………18
   
5. 
   Процессы и источники накачки………………………………………….21
   
6. 
   .Оптическая накачка……………………………………………………...26
   

Заключение…………………………………………………………….…38
Литература….…………………………………………………………....39



Введение
Традиционно в качестве непрерывных источников излучения
в областях научно-технической деятельности, связанных
с интерферометрией, голографией, нелинейной оптикой, используют газовые лазеры, обладающие высокой когерентностью и поляризацией излучения, слабой расходимостью излучения. Как правило, такие лазеры являются дорогими и часто редкими инструментами.
В ряде экспериментов требования к характеристикам излучения могут быть снижены и качество измерения могут быть обеспечено при использования более дешевых источников излучения. Наиболее привлекательным с этой точки зрения являются полупроводниковые лазеры, широко распространенные в настоящее время.
В полупроводниковой активной среде можно достигнуть большего оптического усиления, определяющего возможность использования активных элементов малых размеров (длина резонатора 50 мм - 1 мм)
и обеспечить компактность измерительных установок. Помимо компактности, особенностями полупроводниковых лазеров являются: высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки и большой выбор веществ для генерации в широком спектральном диапазоне
(от 0,3 мкм до 30 мкм).
Эти качества обеспечили полупроводниковым лазерам широкое применение в различных областях современной деятельности человека - 99,8% от всех выпускаемых в мире лазеров являются полупроводниковыми [1].
В настоящее время, несмотря на широкое распространение полупроводниковых лазеров, сведения о различных параметрах лазера весьма ограничены.