Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

Прасолов Никита Дмитриевич. Модификация свойств поверхности эпитаксиальных слоев GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа. Дисс. канд. физ.  мат. наук. Санкт-Петербург, 2019 г., 158 с.

Ш.Х. Йўлчиев. Синтез и свойства многослойных полупроводниковых гетероструктур. Ташкент: Изд. «Фан» 2020 г. 136 с.

Моисеев К.Д., Пархоменко Я.А., Гущина Е.В., и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 8. С. 1142.

Пархоменко Я.А., Дементьев П.А., Моисеев К.Д. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 7. С. 993.

Tasco V., Deguffroy N., Baranov A.N., et. al. // Cryst. Growth. 2007. V. 301. P. 713.

Mock P., Booker G.R., Mason N.J., et al. // Mater. Sci. Eng. 2001. V. 80. P.112.

Абрамкин Д.С., Путято М.А., Гутаковский А.К. и др. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1571.

Косарев А.Н., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., и др. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 11. С. 1519.

Резницкий А.Н., Клочихин А.А., Еременко М.В. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 345.

Saidov A.S., Amonov K.A., Kutlimurotov B.R. // Applied Solar Energy. 2016. V. 52. no 1. P. 1.

A.S. Saidov, S.Z. Zainabidinov, M.U. Kalanov, A.Y. Boboev, B.R. Kutlimurotov. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp 206-208.

Зайнабидинов С.З, Саидов А.С., Каланов М.У., Бобоев А.Й. ДАН РУз, 2015, № 3, ст. 18-21

А.Й.Бобоев, С.З. Зайнабидинов, А.С.Саидов, М.У.Каланов. УФЖ. 2015. Вып.17. №4. Ст.218-224.

S. Zainabidinov, M.Kalanov, A. Boboev. Structural characteristics of n-GaAs–p-(GaAs)_1–x–y(Ge₂)_x(ZnSe)_y heterostructures. / Международная конференция «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 13-14 июня 2017 г. ст. 107-110.

И. Е. Марончук, А. И. Марончук, Т. Ф. Кулюткина, М. В. Найденкова, И. В. Чорный, Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 12: 97 (2005).

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д., ФТП, 1998. 32, № 4. 385-411.

Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V. Наносистеми, наноматериали, нанотехнологии. 2012. Том 10 № 1. С. 77-88.

Дубровский В.Г., Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. С. 486, (Москва: Физматлит: 2009).

Кулбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7. № 4. С. 98-104.

Тешабоев А.Т., Зайнабидинов С.З., Исмоилов К.А., Эрматов Ш.А., Абдуазимов В.А. Физика, химия и технологии наночастиц. Ташкент, Kamalak-Press. 2014. Cт. 368.

Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронографический анализ (Приложения). Москва, Металлургия, 1970. Ст. 107.

Георгобиани А.Н., Шейнкман М.К. Физика соединений A^IIB^VI. Москва: Наука, 1986. cт. 320.

Махний В.П., Мельник В.В., Орлецкий И.Г. Детектор ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO₂-ZnSe // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. № 8. С. 21-25.

Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-InSe и n-ZnSe/p-GaSe // Журнал технической физики. 2014. Т. 84. № 8. С. 102-105.

Бобоев А.Й., Хамраева P.Н., Рустамова В.М. Формирование нанокристаллов Gc и ZnSe в эпитаксиальной пленки (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y // _.Материалы 52-й Международной научной студенческой конференции «Физические методы в естественных науках», Новосибирск. 11-12 апрель 2014. Ст. 10-11.