Yarimo'tkazgich atomlarining ajralib chiqish kimyoviy reaksiyalarini to'rtta guruhga ajratish mumkin:
Yarimo'tkazgich atomlarining ajralib chiqish kimyoviy reaksiyalarini to'rtta guruhga ajratish mumkin:
Suyuq fazada epitaksiya. Suyuq fazali epitaksiya usuli to'yingan yarimo'tkazgich material eritmasidan yarimo'tkazgich monokristall qatlamini o'stirishdan iborat. Eritmaga cho'ktirilgan yarimo'tkazgich taglik sirtida uni sovitish· natijasida kristallanishi yuz beradi. Ko'pchilik hollarda suyuq fazadan kristallanishda erituvchi sifatida yarimo'tkazgich suyuq holatida eruvchanligi yuqori bo'lgan metalll, masalan, AI - Si yoki Au - Si tizimdan foydalaniladi. Yarimo'tkazgich birikmalarining suyuq fazada epitaksiyasini olish uchun erituvchilar sifatida oson eruvchi birikma tarkiblovchilari, masalan, GaAs va GaP uchun Ga qo'llaniladi. Bu esa kristallanish temperaturasi kamayishiga, taglik eritma chegarasida temperatura gradienti kamayishiga olib keladi va o'stirilgan qatlam tozaligini oshiradi
Suyuq fazada epitaksiya. Suyuq fazali epitaksiya usuli to'yingan yarimo'tkazgich material eritmasidan yarimo'tkazgich monokristall qatlamini o'stirishdan iborat. Eritmaga cho'ktirilgan yarimo'tkazgich taglik sirtida uni sovitish· natijasida kristallanishi yuz beradi. Ko'pchilik hollarda suyuq fazadan kristallanishda erituvchi sifatida yarimo'tkazgich suyuq holatida eruvchanligi yuqori bo'lgan metalll, masalan, AI - Si yoki Au - Si tizimdan foydalaniladi. Yarimo'tkazgich birikmalarining suyuq fazada epitaksiyasini olish uchun erituvchilar sifatida oson eruvchi birikma tarkiblovchilari, masalan, GaAs va GaP uchun Ga qo'llaniladi. Bu esa kristallanish temperaturasi kamayishiga, taglik eritma chegarasida temperatura gradienti kamayishiga olib keladi va o'stirilgan qatlam tozaligini oshiradi
Gaz va suyuq epitaksial qo'shilgan usul (bug' -suyuq-qattiq jism jarayoni) istiqbollidir. Yarimo'tkazgich taglik sirtiga evtektiv tarkibli suyuq fazani hosil qiluchi yupqa metal! qatlam surkaladi. Bu past temperaturalarda epitaksial qatlamlami olish imkonini baradi. Yarimo'tkazgich atomlari suyuq qatlam bilan taglik hosil qilgan chegara orqali gaz faza orqali o'tiradi va ulaming difTuziyalanishi natijasida kristallanish yuz beradi. Bu yerda eritma qatlami 1 mkm dan oshmaydi va amalda epitaksial qatlam o'sish tezligi eritmada ditTuziyalanish vaqtiga bog'liq bo'lmaydi. Epitaksiya usulida olingan tuzilmalar tavsifnomalari qotishmali usulidagiga asosan o'xshashdir.
Gaz va suyuq epitaksial qo'shilgan usul (bug' -suyuq-qattiq jism jarayoni) istiqbollidir. Yarimo'tkazgich taglik sirtiga evtektiv tarkibli suyuq fazani hosil qiluchi yupqa metal! qatlam surkaladi. Bu past temperaturalarda epitaksial qatlamlami olish imkonini baradi. Yarimo'tkazgich atomlari suyuq qatlam bilan taglik hosil qilgan chegara orqali gaz faza orqali o'tiradi va ulaming difTuziyalanishi natijasida kristallanish yuz beradi. Bu yerda eritma qatlami 1 mkm dan oshmaydi va amalda epitaksial qatlam o'sish tezligi eritmada ditTuziyalanish vaqtiga bog'liq bo'lmaydi. Epitaksiya usulida olingan tuzilmalar tavsifnomalari qotishmali usulidagiga asosan o'xshashdir.
Foydalanilgan Adabiyotlar:
Foydalanilgan Adabiyotlar:
1. A. Teshaboev, S. Zaynobiddnov, E.A. Musayev Yarimo’tkazgichlar va Yarimo’tkazgichli asboblar texnologiyasi