Образования республики узбекистан

Полевые транзисторы управляется с

переходом p-n


Устройство и принцип работы. Сечение n-канальной ПТ-структуры, управляемой p-n-переходом, и его условное обозначение показаны на рисунке 6.1. Рассмотрим принцип работы ПТ с двумя симметричными клапанами (рис. 6.1, г). Контролируемая зона между ложей и ложей образует тонкий канал передачи n-типа. Стороны канала ограничены двумя областями p-полупроводника, которые образуют барьер. В транзисторе расстояние, равное длине затвора, представляет собой длину канала L, технологическую толщину канала d0, которая определяется расстоянием между физическими границами двух p-n-переходов и называется шириной канала, перпендикулярной ему. Ширина токоведущего канала равна расстоянию m между недостающими участками симметричных p ~ точек (Na >> Nd): d = d0 - 2DA0, где: D0 - инвертированный pn o Ширина менее соединенного участка зуба (заштрихованные участки)

Идеальная структура современного полевого транзистора показана на рисунке 1. Здесь металлический контакт действует как барьер со слоем p+. Здесь затвор отделен от полупроводника n-типа не диэлектриком, как МДП-транзистор, а обедненным слоем p-n перехода. Как правило, слой p + не является обязательным. Обедненный слой также возникает, когда металл напрямую соединен с полупроводником. Транзистор с такой структурой называется полевым транзистором с барьером Шоттки.



Особенность ВАХ, показанного на рисунке 1.3, б, заключается в том, что напряжение на затворе имеет только один полюс. В этом случае он отрицательный. В противном случае напряжение на p-n-переходе будет правильным, начнется инжекция неосновных носителей, и транзистор потеряет свои свойства униполярного устройства. Следует отметить, что в MD-транзисторах, которые во всех отношениях аналогичны полевым транзисторам, нет ограничения на полюс управляющего напряжения, поскольку затвор отделен от канала диэлектриком.