=O bo’lsa (kollektor va emitter potensiallari bir xil), ikkala p-o’tish to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’ladi

Agar U_BE >0 va bunda U_KE=O bo’lsa (kollektor va emitter potensiallari bir xil), ikkala p-o’tish to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’ladi. Kirish xarakteristikasi to’yinish rejimiga mos keladi, baza toki esa emitterdan va kollektordan bir vaqtning o’zida elektronlar injeksiyalangani uchun baza toklari yig’indisiga teng bo’ladi. U_BE kuchlanishi ortishi bilan ikkala p-n o’tishdagi injeksiya ortadi, bazada noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi ortadi, bu esa o’z navbatida bazada rekombinasiyaning ortishiga, baza tokining keskin ortishiga olib keladi. Umumiy kollektor sxema. Umumiy kollektor ulangan sxemada kirish toki - baza toki I_B, chiqish kuchlanishi esa U_EK kuchlanishdir. Demak, kirish xarakteristikalar oilasi U_BK kuchlanishning belgilangan qiymatlarida I_K=f(U_EK) bog’liqlik orqali ifodalanadi. U_BK =U_EK-U_EB bo’lgani uchun U_EK ning o’zgarmas qiymatlarida U_BK o’zgarishlari baza toki I_B ni eksponensial kamaytiradi. Tranzistoring dinamik kirish qarshiligi U_E ulangan sxemadagidek bo’ladi.
Bipolyar tranzistorning umumiy kollektor ulanishdagi kirish xarakteristikalari.
Bipolar tranzistorning statik chiqish xarakteristikalari. Chiqish xarakteristikasi deb kirish tokining berilgan, o’zgarmas qiymatlarida chiqish toki bilan chiqish kuchlanishi orasidagi bog’liqlikka aytiladi. Umumiy baza sxema. Umumiy baza ulangan sxemada chiqish toki bo’lib Ix, chiqish kuchlanishi bo’lib Uks, kirish toki bo’lib esa emitter toki Ig xizmat qiladi. Shuning uchun UB ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalar oilasi emitter toki I ning belgilangan qiymatlarida Ix-Uka) bog’lanishdan iborat bo’ladi. Chiqish xarakteristikasi (4.4) tenglama bilan ifodalanadi. Aktiv rejimda xarakteristikalar bilan tanishamiz. n-p -n tuzilmali bipolyar tranzistorlar uchun aktiv rejim faqat UEF0 va UKS 0 bo’lgandagina amalga oshadi. I-0 bo’lganda Kollektor o’tishning kollektor- baza zanjiri bo’ylab oquvchi Iko teskari toki chiqish xarakteristikani tashkil etadi. I qiymati ortishi bilan chiqish xarakteristikalar yuqoriga siljiydi. Yerli effekti e’tiborga olinmaganda tok uzatish koeffitsyienti ani o’zgarmas, Uka ga bog’liq emas va chiqish xarakteristikalarni gorizontal deb hisoblash mumkin. Umumiy baza ulangan sxemada rekombinatsiya hisobiga yo’qotishlar kamaygani uchun aslida asta-sekin ortib boradi. Odatda, chiqish xarakteristikalarning gorizontal chiziqlardan farqi deyarli sezilmaydi. Aktiv rejimning boshlang’ich sohasidagi keskin, lekin qiymati bo’yicha katta bo’lmagan ortishi Uks-0 bo’lganda kollektor o’tish teskari tokining noldan maksimal Iko qiymatgacha o’zgarishi bilan bog’liq. Agar UKB kuchlanish ishorasi teskarisiga o’zgartirilsa, kollektor o’tish to’g’ri siljitilgan bo’lib qoladi va tranzistor to’yinish rejimga o’tadi. Bunda (4.4) tenglama to’yinish rejimi uchun quyidagi ko’rinishda yoziladi: To’yinish rejimida UKB ortishi bilan emitter toki o’zgarishsiz qolgan holda kollektor toki kollektordan injeksiya sodir bo’lishi hisobiga kamayadi. UK 0,4+0,6 V bo’lganda amalda KO ochiladi. Shu sababdan UK #0 bo’lganda Ik tokning sezilarli kamayishi boshlanadi. To’yinish rejimida tranzistorning chiqish xarakteristikalari 4.11rasmda ikkinchi kvadrantda keltirilgan. Umumiy emitter sxema. Umumiy emitter ulangan sxemada chiqish toki bo’lib kollektor toki Ik, kirish toki bo’lib baza toki IB, chiqish kuchlanishi bo’lib esa UKE kuchlanishi xizmat qiladi. Shu sababdan umumiy emitter ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalari baza toki Igning berilgan qiymatlarida Ix = f (UKE) bog’lanishdan iborat (4.11b-rasm). Kollektor tokining baza tokiga bog’liqligi (4.8) tenglama orqali ifodalanadi. Ko’rganimizdek, ß va Iko parametrlar qiymatlari kollektor o’tishda qanday ulanganiga bog’liq. Kollektor sohasining hajmiy qarshiligi rx hisobga olingan holda kollektor o’tishdagi kuchlanish UKB-UKE-UBE-TRIK ga teng. Natijada, UBE>0 va UKE O bo’lganda ham aktiv rejim amalga oshishi mumkin. Rejimlar almashishi kollektor o’tishdagi kuchlanish UKs 0 bo’lganda sodir bo’ladi. Bundan UKE ning izlanayotgan bo’sag’aviy qiymati Ka UBE KB TK K. UBE ning qiymati berilgan baza tokiga muvofiq kirish xarakteristikalardan, I ning qiymati esa (4.18) tenglamada 1-0 deb qabul qilinib topiladi, chunki KO'dagi kuchlanish nolga teng deb berilgan. Natijada bu yerda, Bo-kuchlanish UK 0 bo’lgandagi ß ning qiymati, Ik-tok esa, baza tokining berilgan qiymatidagi kollektor toki qiymati. Shunday qilib, (4.19) tenglamalar yordamida berilgan baza toki nuqtalari ordinata o’qida bo’sag’aviy kuchlanish UKE ni va abssissa o’qida kollektor toki i qiymatlarini beruvchi chiziqni chizish mumkin (4.11b-rasmda punktir chiziq). Baza tokining har bir qiymati uchun UKE 2 UKE soha aktiv rejim sohasiga, UKEKE soha esa to’yinish rejimi sohasiga mos keladi. Aktiv rejim uchun chiqish xarakteristikalarni ko’rib chiqamiz. Is-0 bo’lganda barcha UKE 20 qiymatlarda aktiv rejim o’rinli bo’ladi, bunda kollektor toki / (+1)/ ifoda bilan aniqlanadi. UKE ortishi bilan, Yerli effekti ta’siri natijasida Aning qiymati ortadi. Shuning uchun umumiy emitter sxemada chiqish xarakteristikalar tikligi umumiy baza ulangan sxemaga nisbatan / marta ortib, sezilarli bo’lib qoladi. To’yinish rejimida ß va Ixo lar kollektor o’tishdagi to’g’ri kuchlanishga kuchli bog’liq funksiyalarga aylanadi. Uka ortishi bilan Ixo tok yo’nalishini o’zgartiradi va eksponensial o’sadi, ß qiymati esa injeksiya koeffitsyientining kamayishi hisobiga nolgacha keskin kamayadi. Ushbu omillarning birgalikdagi ta’siri hisobiga kollektor toki UKE kamayishi bilan keskin kamayadi va U (kT/q)L(1/a, ) da nolga teng bo’lib qoladi (a,- emitter tokini uzatishning invers koeffitsyienti). Umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistorning Yerli effekti e’tiborga olingan statik chiqish xarakteristikalari 4.12-rasmda keltirilgan.
Chiqish xarakteristikalar oilasi aktiv rejimda baza toki la yoki kollektor baza kuchlanishi UKE ni ortishi bilan UBRU kuchlanishidan chiquvchi to’g’ri chiziqlar bilan ifodalanadi.
Bu yoki umumiy emitter 4.12-rasm. Umumiy emitterlangan bipolyar tranzistorning Yerli effekti e’tiborga olingan holda chizilgan statik chiqish xarakteristikalari.
Umumiy kollektor sxema. Umumiy kollektor ulangan sxemada chiqish toki bo’lib emitter toki IE, kirish toki bo’lib baza toki Iz, chiqish kuchlanishi bo’lib esa UEK xizmat qiladi. Shuning uchun umumiy kollektor ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalar oilasi UBK kuchlanishning belgilangan qiymatlarida l = f (UEK) bog’lanishdan iborat (4.13-rasm). Chiqish xarakteristikasi UBK kuchlanish qiymatiga siljigan diod VAX iga o'xshaydi. Umumiy kollektor ulangan tranzistorning o’ziga xos xususiyati uning dinamik qarshiligining kichikligidir. Umumiy kollektor ulangan sxema kuchlanish stabilizatorlari va quvvat kuchaytirgichlarda keng qo’llaniladi.
4.13-rasm. Umumiy kollektor sxemada ulangan bipolyar tranzistor chiqish xarakteristikalari.
4.8. Bipolar tranzistor xarakteristika va parametrlarining temperaturaga bog’liqliq.
Bipolyar tranzistor p-n o’tishlari toklari va bazasida noasosiy zaryad tashuvchilarning harakatlanish jarayoni temperaturaga bog’liq. Bu bog’liqlik tranzistor parametr va xarakteristikalarini temperaturaga mos o’zgarishiga olib keladi.
Umumiy baza ulangan bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikalariga temperatura ta’sirini ko’rib chiqamiz. Aktiv rejimda emitter o’tish tokini quyidagicha ifodalash mumkin.
Temperatura ortishi bilan to’yinish toki I, eksponenta kamayishiga
nisbatan tezroq kattalashadi. Ikkita omilning qarama-qarshi ta’siri natijasida umumiy baza ulangan sxemaning kirish xarakteristikalari tanlangan emitter toki I, da AU -(1+2) mV/C qiymatga chapga siljiydi (4.14a-rasm). Umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistorning turli temperaturalardagi kirish xarakteristikalari 4.14b-rasmda keltirilgan. (4.12) tenglamadan ko’rinib turibdiki, UBE 0 bo’lganda baza toki qiymati amalda teskari siljitilgan kollektor o’tish toki Iko ga teng bo’ladi. Bu tok temperaturaga bog’liq bo’lgani sababli, temperatura ortishi bilan xarakteristikaning boshlanish qismi pastga tushadi.
4.14-rasm. UB (a) va UE (b) ulangan BTning kirish xarakteristikalariga temperaturaning ta’siri. UBE O qiymatlarda temperatura ortishi bilan bazaning to’g’ri va teskari toklari ortadi. Bu tranzistor toklarining temperaturaga eksponensial bog’liqligi bilan asoslanadi. Tranzistorning turli temperaturalarda olingan xarakteristikalari o’zaro kesishishini qayd qilish zarur, bu (4.17) ifodadagi tashkil etuvchilarning temperaturaga turlicha bog’liqligi bilan tushuntiriladi.

Temperaturaning umumiy baza va umumiy emitter ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalariga ta’sirini ko’rib chiqamiz. Ulanish sxemalariga mos ravishda chiqish toklari (4.18) va (4.19) tenglamalar bilan ifodalanadi Ix = alg + 1xo va 1x = BI, +(B+1)/tổ Turli temperaturalarda chiqish xarakteristikalami o’lchash umumiy baza ulangan sxema uchun Iconst va umumiy emitter sxema uchun esa 1 const hollarda bajarilishi kerak. Shuning uchun temperatura ortganda umumiy baza ulangan sxemada a = const bo'lib I ning ortishi faqat Ixo qiymatining ortishiga bog’liq. Ammo Iko odatda a lg ga nisbatan ancha kichik bo’lgani uchun, Ixo ning o'zgarishlarini e’tiborga olmasa ham bo’ladi (4.15a-rasm).

Umumiy baza ulangan sxemaning muhim afzalligi chiqish xarakteristikalari temperatura barqarorligining yuqoriligidan iborat.
4.15-rasm. UB (a) va UE (b) ulangan BTning chiqish xarakteristikalariga temperaturaning ta’siri.
Umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistor chiqish xarakteristikalari temperaturaga ko’proq umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistor chiqish xarakteristikalari temperaturaga ko’proq bog’liqligi sababli, temperatura o’zgarganda baza toki la qiymatini o’zgarmas saqlab turish zarur. Agar umumiy baza temperaturaga bog’liq emas deb qaralsa, kollektor toki Ix ning temperaturaga bog’liqligi (+1)o had bilan aniqlanadi. Iko tok temperatura har 10 °C ga ortganda taxminan ikki marta ortadi va misol uchun 99 bo’lganda tranzistor chiqish xarakteristikalarining nisbiy dreyfi tenglamaning faqat ikkinchi hadi hisobiga 300% ni tashkil etadi. Umumiy emitter ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalarining temperatura o’zgarishlarga sezgirligi 4.15b-rasmdan ko’rinib turibdi. Shu sababdan, ishchi rejimni barqarorlash uchun tranzistori boshqarishda baza toki bilan boshqarish rejimidan EO kuchlanishi bilan boshqarish rejimiga o’tish taklif etiladi.
4.16-rasm. ß ning kollektor tokiga (a) va kuchlanishiga (b) bog’liqligi.
a va B koeffitsyientlar ham tranzistor ishchi rejimiga, ya'ni kollektor o’tishdagi tok va kuchlanishga bog’liq (4.16- va 4.17-rasmlar).
4.17-rasm. ß ning temperaturaga bog’liqligi.
Baza tokini uzatish koeffitsiyenti ning kichik toklar sohasida kamayishi emitter o’tishdagi va sirt bo’ylab rekombinatsiya hisobiga tushuntiriladi. Katta toklar sohasidagi kamayishi esa nomuvozanat zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi katta bo’lganda bazaning solishtirma o’tkazuvchanligining ortishi bilan asoslanadi.