Nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti

2. Nima sababli KMDYA tranzistorlarda yasalgan kalit statik holatlarda manbadan quvvat iste’mol qilmaydi ?


Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM). Ikki kirishli element sxemasi 69 – rasmda keltirilgan. Ikkaola kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi.
Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik (10^-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,010,05 mVtni, tezkorligi esa 1020 ns ni tashkil etadi.

Integral – injeksion mantiq elementi (I²M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi

MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. Bir turdagi MDYa – 
tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalarning kamchiligi bo‗lib shu hisoblanadiki, 
boshqaruvchi tranzistorning ulangan holatida kalit orqali tok oqib o‗tadi. Bu tok 
juda zarur hisoblanmaydi, chunki maydoniy tranzistorning o‗rnatilgan toki amalda 
nolga teng bo‗ladi. Komplementar MDYa (kanal o‗tkazuvchanligi qarama – qarshi 
bo‗lgan tranzistorlarda) bajarilgan kalit sxemalar bu kamchiliklardan holi (65 -
rasm). Bu kalitda ikkala tranzistor zatvorlari o‗zaro bog‗lanib yagona kirish hosil 
qiladilar. Stoklar birlashib yagona chiqish hosil qiladilar, istoklar esa asos bilan 
birgalikda mos ravishda kuchlanish manbai va umumiy shinaga ulanadilar.
Ikkala tranzistor yagona kirish signali bilan boshqariladi. Lekin, bu 
tranzistorlarning bo‗sag‗aviy kuchlanish U
BO‘S
qiymatlari bir – biriga teskari 
ishoraga ega bo‗lganligi sababli, kirish darajalarining ixtiyoriy qiymatida bu 
tranzistorlar turli holatda bo‗ladilar. Bir tranzistor ochiq bo‗lganda, ikkinchisi berk 
bo‗ladi. Haqiqatdan ham, agar kirishga X=U
0
KIR
signal berilsa, VT0 zatvori asosga 
nisbatan manfiy potensialga ega bo‗ladi U

Shunday qilib, ixtiyoriy stasionar holatda sxema tranzistorlaridan biri berk 

holatda bo‗ladi, shu sababli sxema manbadan deyarli quvvat iste‘mol qilmaydi. 
Ammo sxema qayta ulanish jarayonida, biror juda kichik vaqt mobaynida ikkala 
tranzistor ochiq holatda bo‗ladi, chunki ikkinchisi berkilib ulgurmagan bo‗ladi. 
Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar bir turdagi MDYa 
– tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarga nisbatan o‗n marta kam quvvat iste‘mol 
qiladi. Lekin, sxemalarning tezkorligi bir xil bo‗lib kalit chiqish sig‗imining qayta 
zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi.