Naotexnologiyaga kirish

geterostrukturalar 

    deyiladi    (2.7-rasm).    Geterostruktura      qalinliklari    bir    necha  

nanometr    qalinlikdagi    o’nlab    yarimo’tkazgichli    qatlamlarning    ketma-ketligidan  

tashkil   topishi mumkin.  Yarmo’tkazgichli  geterostukturalar yorqin yorug’lik diodlari, 

lazerlar  va  zamonaviy  mikroelektronikaning  boshqa  yarimo’tkazgichli  asboblarni 

yaratishda foydalanilmoqda. 

2000  yilda    rossiyalik    olim    J.I.Alfyorov    geterostrukturalarni    yaratish  

texnologiyalarini  ishlab  chiqqanligi uchun  fizika  bo’yicha   

Nobel mukofotini  oldi. 

Geterostrukturalarni    molekulyar-nur,  gazfazali,  suyuq    fazali  epitaksiyalar 

metodlari  hamda o’zyig’ilish (o’z-o’zidan  yig’ilish) metodi bilan  olinadi.