Mustaqil ish Yarimo‘tkazgichli elektronika asoslari

Yarim o’tkazgichlarning aralashmali o‘tkazuvchanligini ular atomlarining kovalent bog‘lanishi va zonalar nazariyasi asosida qarab chiqamiz.

Yarim o’tkazgichlarning aralashmali o‘tkazuvchanligini ular atomlarining kovalent bog‘lanishi va zonalar nazariyasi asosida qarab chiqamiz.

Sof yarim o’tkazgichga boshqa element atomlari kiritilib hosil qilingan aralashmali yarim o’tkazgichlarnigina o‘rganamiz. Aytaylik 4 valentli Ge atomi 5 valentli As atomi bilan almashtirilgan bo’lsin. (Sof Ge kristaliga juda oz miqdorda As atomlari kiritilgan bo’lsin) (b-rasm). Bunda mishyak atomi (As) 4 ta qo‘shni Ge atomi bilan kovalent boglanishda ishtirok etib 1 ta Elektroni kovalent bog‘da ishtirok etolmay, ortiqcha bo’lib qoladi va kristall panjarani Issiqlik tebranishlarida juda oson ajraladi va kristall ichida xaotik harakatlanuvchi erkin Elektronga aylanadi. (a-rasm). Bunda atomlar orasidagi kovalent bog‘lanish buzilmaydi, demak teshik hosil bo’lmaydi.