Мустақил Иши Мавзу: мдя транзисторлар асосидаги базавий мантиқий елементлар

Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган мантиқий елементлар (КМДЯМ).
Икки киришли елемент схемаси 9.8 – расмда келтирилган. Иккаола киришга мантиқий нолга мос сигнал берилса н – каналли ВТ1 ва ВТ2 транзисторлар беркилади, п – каналли ВТ3 ва ВТ4 транзисторлар очилади.
Берк транзисторларнинг каналидаги ток жуда кичик (10^-10A). Демак, манбадан ток деярли истеъмол қилинмайди ва схеманинг чиқишида Ем га яқин потенциал ўрнатилади (мантиқий бир даражаси). Aгар бирор кириш ёки иккала киришга мантиқий бир даражаси берилса, ВТ1 ва ВТ2 транзисторлар очилади ва елемент чиқишида потенциал нолга яқин бўлади. Елемент 2ЁКИ-ЕМAС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 0,010,05 мВтни, тезкорлиги еса 1020 нс ни ташкил етади.


9.8 – расм
Интеграл – инжекцион мантиқ елементи (И2М). Калит комплементар биполяр транзисторлар жуфтлигидан ташкил топган бўлиб, н-п-н турли ВТ1 транзистор кўпколлекторли бўлиб, унинг база занжирига p-n-p турли ВТ2 кўпколлекторли транзистор уланган. Бу транзистор инжектор номини олган бўлиб, барқарор ток генератори вазифасини бажаради (9.10 а – расм.)


9.10 – расм

ВТ1 транзистор емиттер – коллектор оралиғи калит вазифасини бажаради. Сигнал манбаи ва юклама сифатида худди шундай схемалар ишлатилади. Aгар киришга мантиқий бирга мос келувчи юқори потенциал берилса, ВТ1 транзистор очилади ва тўйиниш режимида бўлади. Унинг чиқишидаги потенциал нол потенциалига мос келади. Киришга мантиқий нолга мос келувчи потенциал берилса, ВТ1 транзисторнинг емиттер ўтиши беркилади. Коваклар токи I_Q (қайта уланиш токи) ВТ1 транзисторнинг коллектор ўтишини тескари йўналишда улайди. Бунинг натижасида ВТ1 чиқиш қаршилиги кескин ортади ва унинг чиқишида мантиқий бир потенциали ҳосил бўлади. Яъни мазкур схема юқорида кўрилган схемалар каби инвертор вазифасини бажаради. Мантиқий амалларни бажариш инвертор чиқишларини металл симлар билан бирлаштириш натижасида амалга оширилади. 9.10 б – расмда ҲAМ амалини бажариш усули кўрсатилган. Ҳақиқатдан ҳам, агар Х1 ёки Х2 киришлардан бирига юқори потенциал берилса U¹_KIR, натижада бирлашган чиқишларда (A нуқта) паст потенциал ҳосил бўлади U₀. Натижада ва инверс ўзгарувчиларнинг конъюкцияси бажарилади. Улар ВТ1 ва ВТ3 инвертор чиқишларида ҳосил бўлади: . I²M елементининг тезкорлиги 10100 нс ва истеъмол қуввати 0,010,1 мВт. Кристаллда битта I²M елементи КМДЯ –елментга нисбатан 34 марта кичик, ТТМ – елементига нисбатан еса 510 марта кичик юзани егаллайди.

Кўриб ўтилган мантиқий ИМС негиз елементларининг асосий параметрлари жадвали